Процессор Intel® Pentium® G850 (3 МБ кэш-памяти, тактовая частота 2,90 ГГц) Спецификации продукции
Дата выпуска
Дата выпуска продукта.
Литография
Литография указывает на полупроводниковую технологию, используемую для производства интегрированных наборов микросхем и отчет показывается в нанометре (нм), что указывает на размер функций, встроенных в полупроводник.
Условия использования
Условия использования представляют собой условия окружающей среды и эксплуатации, вытекающие из контекста использования системы.
Информацию об условиях использования конкретного SKU см. в отчете PRQ.
Информацию о текущих условиях использования см. в разделе Intel UC (сайт CNDA)*.
Количество ядер
Количество ядер — это термин аппаратного обеспечения, описывающий число независимых центральных модулей обработки в одном вычислительном компоненте (кристалл).
Количество потоков
Поток или поток выполнения — это термин программного обеспечения, обозначающий базовую упорядоченную последовательность инструкций, которые могут быть переданы или обработаны одним ядром ЦП.
Базовая тактовая частота процессора
Базовая частота процессора является рабочей точкой, где задается расчетная мощность (TDP). Частота измеряется в гигагерцах (ГГц) или миллиардах вычислительных циклов в секунду.Кэш-память
Частота системной шины
Шина — это подсистема, передающая данные между компонентами компьютера или между компьютерами. В качестве примера можно назвать системную шину (FSB), по которой происходит обмен данными между процессором и блоком контроллеров памяти; интерфейс DMI, который представляет собой соединение «точка-точка» между встроенным контроллером памяти Intel и блоком контроллеров ввода/вывода Intel на системной плате; и интерфейс Quick Path Interconnect (QPI), соединяющий процессор и интегрированный контроллер памяти.
Расчетная мощность
Расчетная тепловая мощность (TDP) указывает на среднее значение производительности в ваттах, когда мощность процессора рассеивается (при работе с базовой частотой, когда все ядра задействованы) в условиях сложной нагрузки, определенной Intel. Ознакомьтесь с требованиями к системам терморегуляции, представленными в техническом описании.
Доступные варианты для встраиваемых систем
Доступные варианты для встраиваемых систем указывают на продукты, обеспечивающие продленную возможность приобретения для интеллектуальных систем и встроенных решений. Спецификация продукции и условия использования представлены в отчете Production Release Qualification (PRQ). Обратитесь к представителю Intel для получения подробной информации.
Макс. объем памяти (зависит от типа памяти)
Макс. объем памяти означает максимальный объем памяти, поддерживаемый процессором.
Типы памяти
Процессоры Intel® поддерживают четыре разных типа памяти: одноканальная, двухканальная, трехканальная и Flex.
Макс. число каналов памяти
Макс.
пропускная способность памятиМакс. пропускная способность памяти означает максимальную скорость, с которой данные могут быть считаны из памяти или сохранены в памяти процессором (в ГБ/с).
Встроенная в процессор графическая система
‡Графическая система процессора представляет собой интегрированную в процессор схему обработки графических данных, которая формирует работу функций видеосистемы, вычислительных процессов, мультимедиа и отображения информации. Системы HD-графики Intel®, Iris™ Graphics, Iris Plus Graphics и Iris Pro Graphics обеспечивают расширенное преобразование медиа-данных, высокие частоты кадров и возможность демонстрации видео в формате 4K Ultra HD (UHD). Для получения дополнительной информации см. страницу Технология Intel® Graphics.
Базовая частота графической системы
Базовая частота графической системы — это номинальная/гарантированная тактовая частота рендеринга графики (МГц).
Макс. динамическая частота графической системы
Макс. динамическая частота графической системы — это максимальная условная частота рендеринга (МГц), поддерживаемая HD-графикой Intel® с функцией Dynamic Frequency.
Intel® Quick Sync Video
Технология Intel® Quick Sync Video обеспечивает быструю конвертацию видео для портативных медиапроигрывателей, размещения в сети, а также редактирования и создания видео.
Поиск продукции с Intel® Quick Sync Video
Технология InTru 3D
Технология Intel InTru 3D позволяет воспроизводить трехмерные стереоскопические видеоматериалы в формате Blu-ray* с разрешением 1080p, используя интерфейс HDMI* 1.
4 и высококачественный звук.
Интерфейс Intel® Flexible Display (Intel® FDI)
Технология Intel® Clear Video HD
Технология Intel® Clear Video HD, как и предшествующая ее появлению технология Intel® Clear Video, представляет собой набор технологий кодирования и обработки видео, встроенный в интегрированную графическую систему процессора. Эти технологии делают воспроизведение видео более стабильным, а графику — более четкой, яркой и реалистичной. Технология Intel® Clear Video HD обеспечивает более яркие цвета и более реалистичное отображение кожи благодаря улучшениям качества видео.
Редакция PCI Express
Редакция PCI Express — это версия, поддерживаемая процессором. PCIe (Peripheral Component Interconnect Express) представляет собой стандарт высокоскоростной последовательной шины расширения для компьютеров для подключения к нему аппаратных устройств. Различные версии PCI Express поддерживают различные скорости передачи данных.
Поддерживаемые разъемы
Разъемом называется компонент, которые обеспечивает механические и электрические соединения между процессором и материнской платой.
T
CASEКритическая температура — это максимальная температура, допустимая в интегрированном теплораспределителе (IHS) процессора.
Поддержка памяти Intel® Optane™
‡Память Intel® Optane™ представляет собой новый революционный класс энергонезависимой памяти, работающей между системной памятью и устройствами хранения данных для повышения системной производительности и оперативности. В сочетании с драйвером технологии хранения Intel® Rapid она эффективно управляет несколькими уровнями систем хранения данных, предоставляя один виртуальный диск для нужд ОС, обеспечивая тем самым хранение наиболее часто используемой информации на самом быстродействующем уровне хранения данных. Для работы памяти Intel® Optane™ необходимы специальная аппаратная и программная конфигурации. Чтобы узнать о требованиях к конфигурации, посетите сайт https://www.intel.com/content/www/ru/ru/architecture-and-technology/optane-memory.html.
Технология Intel® Turbo Boost
‡Технология Intel® Turbo Boost динамически увеличивает частоту процессора до необходимого уровня, используя разницу между номинальным и максимальным значениями параметров температуры и энергопотребления, что позволяет увеличить эффективность энергопотребления или при необходимости «разогнать» процессор.
Технология Intel® Hyper-Threading
‡Intel® Hyper-Threading Technology (Intel® HT Technology) обеспечивает два потока обработки для каждого физического ядра. Многопоточные приложения могут выполнять больше задач параллельно, что значительно ускоряет выполнение работы.
Поиск продукции с Технология Intel® Hyper-Threading ‡
Технология виртуализации Intel® (VT-x)
‡Технология Intel® Virtualization для направленного ввода/вывода (VT-x) позволяет одной аппаратной платформе функционировать в качестве нескольких «виртуальных» платформ.
Технология улучшает возможности управления, снижая время простоев и поддерживая продуктивность работы за счет выделения отдельных разделов для вычислительных операций.
Поиск продукции с Технология виртуализации Intel® (VT-x) ‡
Технология виртуализации Intel® для направленного ввода/вывода (VT-d)
‡Технология Intel® Virtualization Technology для направленного ввода/вывода дополняет поддержку виртуализации в процессорах на базе архитектуры IA-32 (VT-x) и в процессорах Itanium® (VT-i) функциями виртуализации устройств ввода/вывода. Технология Intel® Virtualization для направленного ввода/вывода помогает пользователям увеличить безопасность и надежность систем, а также повысить производительность устройств ввода/вывода в виртуальных средах.
Поиск продукции с Технология виртуализации Intel® для направленного ввода/вывода (VT-d) ‡
Intel® VT-x с таблицами Extended Page Tables (EPT)
‡Intel® VT-x с технологией Extended Page Tables, известной также как технология Second Level Address Translation (SLAT), обеспечивает ускорение работы виртуализованных приложений с интенсивным использованием памяти. Технология Extended Page Tables на платформах с поддержкой технологии виртуализации Intel® сокращает непроизводительные затраты памяти и энергопотребления и увеличивает время автономной работы благодаря аппаратной оптимизации управления таблицей переадресации страниц.
Архитектура Intel® 64
‡Архитектура Intel® 64 в сочетании с соответствующим программным обеспечением поддерживает работу 64-разрядных приложений на серверах, рабочих станциях, настольных ПК и ноутбуках.
¹ Архитектура Intel® 64 обеспечивает повышение производительности, за счет чего вычислительные системы могут использовать более 4 ГБ виртуальной и физической памяти.
Поиск продукции с Архитектура Intel® 64 ‡
Набор команд
Набор команд содержит базовые команды и инструкции, которые микропроцессор понимает и может выполнять. Показанное значение указывает, с каким набором команд Intel совместим данный процессор.
Расширения набора команд
Расширения набора команд — это дополнительные инструкции, с помощью которых можно повысить производительность при выполнении операций с несколькими объектами данных.
К ним относятся SSE (Поддержка расширений SIMD) и AVX (Векторные расширения).
Состояния простоя
Режим состояния простоя (или C-состояния) используется для энергосбережения, когда процессор бездействует. C0 означает рабочее состояние, то есть ЦПУ в данный момент выполняет полезную работу. C1 — это первое состояние бездействия, С2 — второе состояние бездействия и т.д. Чем выше численный показатель С-состояния, тем больше действий по энергосбережению выполняет программа.
Enhanced Intel SpeedStep® Technology (Усовершенствованная технология Intel SpeedStep®)
Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® позволяет обеспечить высокую производительность, а также соответствие требованиям мобильных систем к энергосбережению.
Стандартная технология Intel SpeedStep® позволяет переключать уровень напряжения и частоты в зависимости от нагрузки на процессор. Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® построена на той же архитектуре и использует такие стратегии разработки, как разделение изменений напряжения и частоты, а также распределение и восстановление тактового сигнала.
Технологии термоконтроля
Технологии термоконтроля защищают корпус процессора и систему от сбоя в результате перегрева с помощью нескольких функций управления температурным режимом. Внутрикристаллический цифровой термодатчик температуры (Digital Thermal Sensor — DTS) определяет температуру ядра, а функции управления температурным режимом при необходимости снижают энергопотребление корпусом процессора, тем самым уменьшая температуру, для обеспечения работы в пределах нормальных эксплуатационных характеристик.
Технология Intel® Fast Memory Access
Технология Intel® Fast Memory Access представляет собой усовершенствованную магистральную архитектуру блока контроллеров видеопамяти (GMCH), повышающую производительность системы благодаря оптимизации использования доступной пропускной способности и сокращению времени задержки при доступе к памяти.
Технология Intel® Flex Memory Access
Intel® Flex Memory Access обеспечивает простоту модернизации благодаря поддержке модулей памяти различного объёма, работающих в двухканальном режиме.
Новые команды Intel® AES
Команды Intel® AES-NI (Intel® AES New Instructions) представляют собой набор команд, позволяющий быстро и безопасно обеспечить шифрование и расшифровку данных.
Команды AES-NI могут применяться для решения широкого спектра криптографических задач, например, в приложениях, обеспечивающих групповое шифрование, расшифровку, аутентификацию, генерацию случайных чисел и аутентифицированное шифрование.
Поиск продукции с Новые команды Intel® AES
Технология Intel® Trusted Execution
‡Технология Intel® Trusted Execution расширяет возможности безопасного исполнения команд посредством аппаратного расширения возможностей процессоров и наборов микросхем Intel®. Эта технология обеспечивает для платформ цифрового офиса такие функции защиты, как измеряемый запуск приложений и защищенное выполнение команд. Это достигается за счет создания среды, где приложения выполняются изолированно от других приложений системы.
Поиск продукции с Технология Intel® Trusted Execution ‡
Функция Бит отмены выполнения
‡Бит отмены выполнения — это аппаратная функция безопасности, которая позволяет уменьшить уязвимость к вирусам и вредоносному коду, а также предотвратить выполнение вредоносного ПО и его распространение на сервере или в сети.
| Рама | Стальная сварная трубчатая |
| Двигатель | 2-х цилиндровый, 4-х тактный, жидкостного охлаждения |
Рабочий объем, см. куб.
|
850 |
| Система питания | Инжекторная, бензин с октановым числом не менее 92 |
| Система зажигания | Электронный блок управления (ECU) MTO5 «DELPHI» |
| Система пуска | Электростартер |
| Макс мощность, л.с./кВт/(об./мин.) | 68/51(6500) |
| Макс крутящий момент Нм(об./мин.) | 81/5000 |
| Максимальная конструктивная скорость, км/ч | 90 |
| Сцепление | Обгонная муфта вариатора |
| Трансмиссия | Механическая с клиноременным вариатором (CVT) (L-H-N-R-P) с режимом работы 2WD/4WD/4WD Lock и приводом на четыре колеса (колёсная формула 4х4) |
| Привод от двигателя к редукторам | Вал карданный |
| Привод от редукторов к колёсам | Вал трансмиссионный с двумя шарнирами равных угловых скоростей |
| Редуктор передний | Механический, с конической главной передачей, подключаемый принудительно, с дифференциалом с принудительной блокировкой, с электромеханическим управлением |
| Редуктор задний | Механический, с конической главной передачей |
| Подвеска передняя | Независимая, 2-х рычажная, с пружинно-гидравлическими амортизаторами, ход 185 мм |
| Подвеска задняя | Независимая, 2-х рычажная, с пружинно-гидравлическими амортизаторами, ход 180 мм |
| Тормоз передний | Дисковый с гидравлическим приводом на каждое колесо, управление педалью справа и рычагом на руле справа |
| Тормоз задний | Дисковый с гидравлическим приводом на каждое колесо, управление педалью справа и рычагом на руле слева |
| Емкость топливного бака, л | 30 |
| Шины передние | АТ26х8-12, АТ26х9-12, АТ26х10-12, АТ27х8-12, АТ27х9-12, АТ27х10-12, АТ28х8-12, АТ28х9-12, АТ28х10-12, 230/80-R12 |
| Шины задние | АТ26х10-12, АТ26х11-12, АТ26х12-12, АТ27х10-12, АТ27х11-12, АТ27х12-12, АТ28х10-12, АТ28х11-12, АТ28х12-12, 280/65-12 |
| Диски передние |
Легкосплавные 6x12h3, LZ/PCD-4×110, ET-20. 5, DIA-60
|
| Диски задние | Легкосплавные 7.5x12h3, LZ/PCD-4×110, ET-21.5, DIA-60 |
| Габаритные размеры, мм: длина/ширина/высота по спинке седла | 2344/1300/1020/1550 — Габаритные расзмеры указаны для ATV на резине АТ26, без бамперов и расширителей колёсных арок АТ27 — +12мм, АТ28 — +25мм. Расширители колёсных арок — +60мм по ширине. Бампер — + 150мм по длинне |
| Колесная база, мм | 1550 |
| Клиренс, мм | 310 — Клиренс указан для ATV на резине АТ26. АТ27 — +12мм, АТ28 — +25мм. |
| Снаряженная масса, кг |
405 (без учета массы топлива 382 кг) — Масса дана для ATV версии ST на резине АТ26. Багажник передний — +8кг. Лебёдка — + 10кг. Сиденье пассажира — + 10кг. Бампер передний — +3. 5кг. Бампер задний — +3.5кг. Защита днища алюминиевая — +16кг. Расширители ар
|
| Полная масса, кг | 709 |
| Радиус разворота, мм | 3700 |
| Комплектация |
Передняя багажная решетка Задняя багажная решетка Лебедка 4,5Lb трос металл или синтетика Пассажирское сиденье Алюминиевая защита днища Расширители колесных арок Передний бампер Задний бампер Дополнительный радиатор с выносом Фаркоп под квадрат |
Горный снегоход Polaris 850 SKS 155 ES 2,6″ — характеристики, комплектация, цена, фото, видео
Самый универсальный снегоход для езды по глубокому снегу. Откройте для себя самые глубокие испытания!
Модель SKS 155 – это наиболее универсальный кроссовер для катания по глубокому снегу.
Оснащен легендарной системой баланса райдера RMK®, при этом в отличие от PRO-RMK оснащен дополнительными катками гусеницы и радиатором охлаждения – для поддержания допустимой рабочей температуры двигателя при любом стиле вождения и состоянии снежного покрова. Отлично подойдет как для передвижения по глубокому снегу, так и по укатанной трассе.
Стремительный подъем
Сочетание приподнятого и легкого шасси AXYS®, мощного двигателя Polaris® и эксклюзивной гусеницы гарантируют быстрый и легкий подъем снегохода SKS из любого снега.
Шасси AXYS®
Приподнятое шасси AXYS® имеет увеличенный клиренс и уменьшает сопротивляемость скольжению, чтобы Вы никогда не застревали в снегу. Специально созданное для горных поездок, это шасси обеспечивает уверенное движение вдоль склона, быстрое восхождение и стремительный подъем снегохода из снега. Алюминиевый каркас шасси имеет легкий вес и высокую прочность, рассчитанные для любых стилей вождения. Более высокие поворотные кулаки обеспечивают увеличенный клиренс и уменьшают сопротивление.
Мощность для местности с любым рельефом
Двигатель – это главное в Вашем катании, и у нас есть лучший из доступных двухцилиндровых двигателей. Наш двигатель 850 Patriot™ — лидер по соотношению мощности и массы, второе место не для него.
Задняя подвеска
Легкая и жесткая конструкция задней подвески имеет усовершенствованную геометрию для контроля продольного наклона. Таким образом улучшается перераспределение нагрузки и обеспечивается лучшая управляемость и плавность движения. Благодаря жесткости подвески, вся энергия переносится непосредственно на снежный покров. При движении по целине райдеры отметят улучшение перераспределения нагрузки и уже знакомый им угол переднего свеса. Двигаясь по трассе, вы отметите, что движение снегохода стало более комфортным и понятным. Конструкция направляющих задней подвески позволяет поднимать заднюю часть при ее перемещении вперед.
Амортизаторы Walker Evans®
Однотрубные амортизаторы Walker Evans®, изготовленные ударным прессованием, гарантируют высочайшие характеристики практически в любых условиях эксплуатации.
Комфорт управления
Платформа AXYS® обеспечивает комфорт райдера, контроль и легкость управления при движении по склонам.
Дизайн панелей корпуса AXYS®
Компактная конструкция корпуса обладает самым большим в отрасли углом наклона и удерживает вес на лыжах и гусенице, таким образом уменьшая зацепление снега боковыми панелями. Такое зацепление ухудшает управляемость и обычно происходит на крутых склонах и при резких поворотах.
Узкая передняя часть
Передняя часть регулируется от 99 до 104 см и идеально подходит для повышения устойчивости и достижения максимальных характеристик при движении между деревьями или в дикой местности.
Кованные алюминиевые рычаги
Эффективная, цельная конструкция уменьшает вес и повышает прочность, ходовые качества и управляемость снегоходом. Такая конструкция снижает неподрессоренную массу, таким образом повышая ходовые качества и маневренность.
Мгновенный отклик
Лучший в мире горный снегоход с легким и жестким шасси обеспечивает превосходный отклик на действия райдера. Это позволяет райдеру изменять направление движения и уверенно маневрировать в любых условиях.
Гибридные подножки PowderTrac®
Больше половины площади конструкции гибридных подножек PowderTrac® занимают отверстия, благодаря которым обеспечивается экстремальная прочность и меньшее налипание снега.
Легкость
Снегоходы Polaris® — самые легкие снегоходы для горных поездок. Они всегда имели небольшой вес, высокую прочность и износостойкость, благодаря уникальной платформе RMK® AXYS®. Снегоходы Polaris обеспечивают райдерам стремительный подъем из любого снега.
Дополнительные функции
Сиденье AXYS® Performance
Сиденье AXYS® Performance обладает идеальным сочетанием комфорта и опоры райдера в сидячем положении, а его конструкция обеспечивает свободу движений при управлении снегоходом стоя.
Светодиодные фары
Все модели на базе платформы AXYS® оснащаются лучшей в отрасли светодиодной оптикой, которая на 80% ярче обычных ламп накаливания.
Информационный центр MessageCenter
Этот удобный информационный центр обладает отличной читаемостью и обеспечивает райдера всеми эксплуатационными характеристиками и другими важными данными.
Информационный дисплей Polaris® Interactive Digital Display
Этот эксклюзивный и лучший в своем классе полноцветный дисплей служит для отображения важнейшей информации, например, эксплуатационных характеристик снегохода, Bluetooth™, навигации по GPS, часов, и органов управления. Это устройство доступно в качестве опции на некоторых моделях, а также как аксессуар.
Grizzly 850 Firestorm — описание, фото, характеристики, цена
Корпус из морского алюминия высшего качества (AL Mg5М)
Днищевой лист – 5 мм. (AL Mg5М), Борт – 4 мм. (AL Mg5М)
Киль – 10 мм. (AL Mg5М), Транец – 20 мм. (AL Mg5М)
Продольно поперечный набор – 5 мм. (AL Mg5М)
Цвет корпуса (белый / чёрный) или (белый / бронза)
Палуба из ударопрочного пластика покрытие гелькоут класс Premium (цвет белый)
Нескользящее покрытие на нос, корма, потопчины (пластик)
Привальный брус
Стеклянная задняя стенка кабины
Сдвижная дверь стеклянная в салоне (с замком) с выходом на кокпит
Люк сдвижной панорамный в крыше рубки
Люк палубный в носовой каюте стеклянный (круглый)
Панорамные окна в крыше каюты
Подстаканники в носовой палубе — 6 шт.
Леера носовые из нержавеющей стали Ø 25 мм.
Леера кормовые из нержавеющей стали Ø 25 мм.
Рейлинги на крыше рубки из нержавеющей стали — Ø 25 мм.
Панорамное остекление салона (закаленное стекло — 6 мм.)
Швартовые утки — 6 шт. (нержавеющая сталь)
Носовая каюта на два спальных места
Мягкие накладки (матрасы) спальные места в носовой каюте (текстиль)
Рундуки под спальными местами — 2 шт.
Диван в салоне левый борт — 2 шт.
Стол в салоне на телескопической стойке (пластик)
Выдвижные ящики для хранения — 5 шт. (белый пластик)
Открывающиеся рундуки (с дверцами) в салоне — 4 шт. (белый пластик)
Место под установку холодильника
Обивочный материал салона (ткань)
Кресло капитана (ткань)
Указатель уровня топлива
Компас
Штурвал с логотипом GRIZZLY
Светильники в салоне — 6 шт.
Розетка 12 В.
Подготовка под установку гальюна (гальюнный блок)
Дверь с замком в гальюнный блок (белый пластик)
Подготовка под установку душа
Раковина в гальюнном блоке (белый пластик)
Камбузный блок (подготовка для установки камбуза)
Ступенька в салоне для выхода на кокпит
Кормовой диван (белый пластик)
Рундук в кормовом диване (белый пластик)
Рундук для хранения кранцев (белый пластик)
Блок предохранителей
Ключ выключения массы 300 А
Ходовые огни — 2 шт.
Стояночный огонь
Топовый огонь
Трюмная помпа электрическая
Креналиновые площадки — 2 шт. в кормовой
Трап кормовой из нержавеющей стали
Декоративные накладки на бортах (корма) — 2 шт.
Вместительные рундуки в кокпите — 3 шт. (белый пластик)
Топливный бак — 500 л.
Коврики напольные в салоне прорезиненные
Монополия на скорость. Обзор твердотельных накопителей Samsung 850 EVO разных форм-факторов
Технические характеристики и особенности конструкции
«Эксперименты» с трехбитной памятью TLC на покупателях южнокорейский производитель начал еще в 2013 году. Прошлое поколение — 840 EVO — я считаю удачным, хотя о надежности этих SSD ходило много споров, ведь количество циклов перезаписи ячеек у TLC меньше, чем у MLC/SLC. По скоростным характеристикам такой тип памяти тоже уступает, так как для хранения трех бит информации задействуется восемь уровней напряжения, на снятие которых требуется больше времени. У MLC — вдвое меньше. При этом увеличивается износ ячейки. С внедрением новых технологических норм проблема лишь усугубляется, так как уменьшение размера ячейки (утоньшение слоя диэлектрика) приводит к утечке заряда с плавающего затвора.
Применение трехмерной структуры 3D V-NAND решает обе проблемы. Во-первых, послойная упаковка TLC занимает меньше места, чем, например, планарная MLC. Итог: нет смысла гнаться за уменьшением техпроцесса. Память в линейках 850 PRO и 850 EVO произведена по 40-нанометровым «доисторическим» нормам, что серьезно увеличивает ее надежность. В Samsung заявляют, что вероятность возникновения ошибок при считывании данных с TLC V-NAND в 10 раз ниже, чем у «обыкновенной» планарной TLC. Слова подкрепляются делом: на все накопители серии 850 EVO распространяется 5-летняя гарантия. Конкуренты предлагают в основном 3 года.
Во-вторых, в TLC V-NAND сокращено количество импульсов, подаваемых на управляющих затвор ячеек. Увеличена производительность. В итоге линейка 850 EVO несильно уступает 850 PRO в плане быстродействия. При этом накопители разного объема имеют приблизительно одинаковую производительность. Серьезного перекоса (согласно характеристикам) между моделями не наблюдается.
В обзор попали сразу два SSD с одинаковым объемом 500 Гбайт. Накопители с интерфейсами SATA 3.0 и M.2 обладают схожими техническими характеристиками. Конечно же, везде используется 40-нанометровая память TLC V-NAND с емкостью кристаллов 128 Гбит. Серия 850 EVO с интерфейсом SATA 3.0 насчитывает четыре модели. Устройство объемом 1 Тбайт несколько выделяется из «толпы», так как базируется на более производительном контроллере MEX. Этот же процессор используется в «твердотельниках» 850 PRO. Накопителей с интерфейсом M.2 всего три. Во всех случаях используется печатная плата формата 2280 с двумя ключами типа «B» и «М».
Yamaha TDM 850: цена, технические характеристики Ямаха ТДМ 850
Тип мототехники: Любой Мотоцикл дорожный Мотоцикл спорт Мотоцикл суперспорт Мотоцикл туризм Мотоцикл спорт-туризм Мотоцикл чоппер / круизер Мотоцикл эндуро Мотоцикл кросс Мотоцикл триал Мотоцикл трайк Скутер мини Скутер средний Скутер макси Электроскутер Квадроцикл утилитарный Квадроцикл спортивный Квадроцикл туриcтическийДиапазон цен: Любойдо 30 000 рубот 30 000 до 50 000 рубот 50 000 до 75 000 рубот 75 000 до 100 000 рубот 100 000 до 125 000 рубот 125 000 до 150 000 рубот 150 000 до 175 000 рубот 175 000 до 200 000от 200 000 до 250 000от 250 000 до 300 000 рубот 300 000 до 350 000 рубот 350 000 до 400 000 рубот 400 000 до 500 000 рубот 500 000 до 600 000 рубот 600 000 до 750 000 рубот 750 000 до 1 000 000 рубСвыше 1 000 000 рубДлина: Любая До 1,5 метров 1,5 — 1,6 метра 1,6 — 1,7 метра 1,7 — 1,8 метра 1,8 — 1,9 метра 1,9 — 2,0 метра 2,0 — 2,1 метра 2,1 — 2,2 метра 2,2 — 2,3 метра 2,3 — 2,4 метра 2,4 — 2,5 метра 2,5 — 2,6 метра 2,6 — 2,7 метра 2,7 — 2,8 метра 2,8 — 2,9 метра 2,9 — 3,0 метра Свыше 3 метровШирина: Любая До 600 миллиметров 600 — 700 миллиметров 700 — 800 миллиметров 900 — 1000 миллиметров 1 — 1,1 метра 1,1 — 1,2 метра 1,2 — 1,3 метра 1,3 — 1,4 метра 1,4 — 1,5 метра 1,6 — 1,7 метра Свыше 1,7 метраВысота: Любая До 700 миллиметров 700 — 800 миллиметров 900 — 1000 миллиметров 1 — 1,1 метра 1,1 — 1,2 метра 1,2 — 1,3 метра 1,3 — 1,4 метра 1,4 — 1,5 метра 1,5 — 1,6 метра 1,6 — 1,7 метра 1,7 — 1,8 метра 1,8 — 1,9 метра 1,9 — 2,0 метра Свыше 2 метровВысота по седлу: Любая До 600 миллиметров 60 — 650 миллиметров 650 — 700 миллиметров 700 — 750 миллиметров 750 — 800 миллиметров 800 — 850 миллиметров 900 — 950 миллиметров 950 — 1000 миллиметровГарантия: Любая 1 год 2 года 3 годаСтрана сборки: Любая Беларусь Великобритания Германия Индия Италия Испания Канада Китай Россия США Таиланд Тайвань Чехия Швеция Южная Корея ЯпонияОт официальных дилеров
Модели 2021 года
Исключить китайские мото
Найти
Проектор Xiaomi XGIMI New Z4 Aurora HD (850 lm, коричневый): характеристики и инструкция
Проектор Xiaomi XGIMI New Z4 Aurora HD (850 лм, коричневый)
Нет размытой картинки
Флагманский чип Mstar 6A838 обеспечивает плавную работу системы благодаря высокопроизводительному ЦП. Встроенный графический процессор Mali-T820 обрабатывает «плавающую» картинку и выдает изображение более высокого качества.
Высокоскоростная технология компенсации движения
Смотрите блокбастер без «хвостовых» следов! Специфический алгоритм интерполяции кадров компенсирует размытие и дрожание динамического изображения, характерного для драг-рейсинга и футбола.
Детализация изображения
Широкий диапазон яркости, контраст светлых и темных деталей, богатая цветовая гамма.
Интеграция системы искусственного интеллекта DuerOS
С помощью языковых команд можно управлять видео, вводить поисковый запрос, распознавать изображения. Это так же легко, как общаться с настоящими помощниками. DuerOS обучается и становится умнее автоматически.
Звуковая система Harman Kardon
Низкие звуки, тихие и стабильные. Восхитительно мощные басовые эффекты. Уникальный дизайн конструкции позволяет поставить проектор на стол или закрепить его над кроватью – в любом случае вам не нужно беспокоиться о звуке.
27-ступенчатая технология улучшения качества
16 методов улучшения изображения и 11 степеней улучшений цвета. Безупречное качество картинки – даже на расстоянии более 100 дюймов.
Яркие цвета
Оптимизация цветового решения каждого кадра – в соответствии с цифровым стандартом цвета DCI–P3. Технология кино DLP Texas Instruments демонстрирует настоящий голливудский цветовой спектр.
Тихая работа, стабилизированный отвод тепла
Благодаря тщательному тестированию и оптимизации воздуховодов, центробежный вентилятор максимально понижает уровень шума.
Рассчитан более чем на 30 000 часов
При использовании 8 часов в день срок службы составит 10 лет.
Классический стиль плюс технология
Диск в верхней части – дань времени винила, технологическое произведение искусства, хранящее память о теплых встречах.
Пылезащита
Объектив автоматически открывается при включении и закрывается при выключении проектора.
Встроенный чип распознает 30 жестов
Можно управлять воспроизведением взмахом ладони. Чтобы регулировать громкость, достаточно двигать пальцем по часовой или против часовой стрелки в центре диска.
Ваш партнер – система искусственного интеллекта Baidu Dialogue
Проектором легко пользоваться людям преклонного возраста и детям. Даже если Вы забыли название во время поиска, с помощью приблизительной информации можно шаг за шагом найти то, что хотите.
Имеется автофокус и функция боковой проекции. Управлять экраном можно и с помощью приложения: телефон становится пультом ДУ. Легко передавайте файлы, смотрите фото, видео, слушайте музыку, работайте через WeChat.
Нетрадиционные свойства нанометрических пленок FeO (111) на Ru (0001): стехиометрия и структура поверхности
Мы сообщаем о выращивании высококачественных монокристаллических и стехиометрических пленок FeO (111) на Ru (0001) с помощью инфракрасного импульсного лазерного осаждения (IR-PLD) в диапазоне толщин от менее 1 нм до более 8 нм. Пленки характеризуются методами дифракции низкоэнергетических электронов (ДМЭ), рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и спектроскопии рассеяния ионов (ISS).Помимо соотношения Fe / O 1: 1, они демонстрируют некоторые неожиданные свойства, такие как отсутствие узлов Fe 3+ на поверхности, симметрия поверхности (1 × 1) и большое расширение решетки. Расчеты из первых принципов показывают, что эти свойства можно понять из существования вюрцитоподобной среды в поверхностной области, которая сохраняет объемный антиферромагнетизм. Это расширяет применимость дефектов упаковки как эффективных механизмов компенсации поверхностной полярности и предполагает, что процессы, индуцированные поверхностью, могут быть адаптированы для создания наноразмерных материалов за пределами исходной объемной фазовой диаграммы.
У вас есть доступ к этой статье
Подождите, пока мы загрузим ваш контент… Что-то пошло не так. Попробуйте еще раз?Исследование зародышеобразования, кинетики кристаллизации, микроструктуры и механических свойств частично замещенной Ru – Bi стеклокерамики BSCCO
Омар А.А., Эль-Шеннави AWA, Эль-Ганнам АР. Тепловое расширение стекол и соответствующей стеклокерамики. J Mater Sci. 1991; 26: 6049–56.
CAS Статья Google ученый
Ситарз М., Булат К., Вайда А., Шумера М. Прямая кристаллизация силикатно-фосфатных стекол системы NaCaPO 4 –SiO 2 . J Therm Anal Calorim. 2013; 113: 1363–8.
CAS Статья Google ученый
Wers E, Oudadesse H. Термическое поведение и избыточная энтропия биоактивных стекол и стекол, легированных цинком. J Therm Anal Calorim. 2014; 115: 2137–44.
CAS Статья Google ученый
Сакамото А., Ямамото С. Стеклокерамика: инженерные принципы и приложения. Int J Appl Glass Sci. 2010; 1: 237–47 (специальный выпуск: специальные приложения) .
CAS Статья Google ученый
Коралай Х, Хициилмаз О, Джавдар С., Асикузун Э., Таши А.Т., Озтюрк О. Влияние содержания Zn на микроструктуру и механические характеристики в Bi 1,8 Sr 2 Ca 2 Cu 3,2 — x Zn x О 10+ δ стеклокерамика. J Mater Sci Mater Electron. 2014; 25: 3116–26.
CAS Статья Google ученый
avdar Ş, Koralay H, Altındal Ş. Влияние замещения ванадия на диэлектрические свойства стеклокерамического сверхпроводника Bi-2212. J Low Temp Phys. 2011; 164: 102–14.
Артикул Google ученый
Узун О., Келемен У., Челеби С., Гучлю Н. Оценка модуля и твердости поликристаллических сверхпроводников методом динамического микроиндентирования. J Eur Ceram Soc. 2005; 25: 969–77.
CAS Статья Google ученый
Келемен У, Челеби С., Карал Х, Озтюрк А., Чевик У, Незир С., Гёрюр О. Сверхпроводящие свойства и твердость по Виккерсу у ZnO с добавлением объемных сверхпроводников YBCO. Физический статус Solidi (b). 2004. 241: 274–83.
Артикул Google ученый
Асикузун Э., Озтюрк О., Цетинкара Х.А., Йилдирим Г., Варилджи А., Йылмазлар М., Терзиоглу К. Измерения твердости по Виккерсу и некоторые физические свойства сверхпроводников Pr 2 O 3 легированных сверхпроводников Bi-2212.J Mater Sci Mater Electron. 2012; 23: 1001–10.
CAS Статья Google ученый
Мацусита К., Сакка С. Кинетические исследования неизотермической кристаллизации стекла с помощью термического анализа. J Некристаллические твердые тела. 1980. 741 (38–39): 741–6.
Артикул Google ученый
Прасад НС, Варма КБР. Кинетика кристаллизации стекла LiBO 2 –Nb 2 O 5 с использованием дифференциального термического анализа.J Am Ceram Soc. 2005. 88: 357–61.
CAS Статья Google ученый
Араужо Э.Б., Идальго Э., Мораес АПА, Филхо С.А.Г., Филхо М.Дж. Кинетика кристаллизации и термические свойства стекла 20Li 2 O – 80TeO 2 . J Mater Res Bull. 2009. 44: 1596–600.
CAS Статья Google ученый
Юкимиту К., Оливейра Р.К., Араужо Б.Б., Мораес Дж.С.С., Аванси Л.Х.ДСК-исследования механизмов кристаллизации теллуритных стекол. J Thermochim Acta. 2005; 426: 157–61.
CAS Статья Google ученый
Davim EJC, Senos AMR, Fernandes MHV. Неизотермическая кинетика кристаллизации биоактивного стекла Si – Ca – P – Mg. J Therm Anal Calorim. 2014; 117: 643–65.
CAS Статья Google ученый
Живанович В.Д., Тошич М.Б., Груич С.Р., Матияшевич С.Д., Стоянович Ю.Н., Николич Ю.Д., Смилянич С.В.ДТА исследование кристаллизации стекла Li 2 O – Nb 2 O 5 –SiO 2 –TiO 2 . J Therm Anal Calorim. 2015; 119: 1653–61.
CAS Статья Google ученый
Се Х, Гао Х. Калориметрические исследования кристаллизации стекла Li 2 S – B 2 O 3 . J Некристаллические твердые тела. 1998. 240: 166–76.
CAS Статья Google ученый
Arslan A, Koralay H, avdar Ş, Günen A. Исследования кинетики кристаллизации на Bi 1,75 Pb 0,25 Sr 2 Ca 2 Cu 3− x Sn x О δ Стеклокерамика неизотермическим способом. J Некристаллические твердые тела. 2012; 358: 1190–5.
CAS Статья Google ученый
Аврами М. Кинетика фазовых превращений, 1. Общая теория. J Chem Phys. 1939; 7: 1103–12.
CAS Статья Google ученый
Киссинджер HE. Изменение максимальной температуры в зависимости от скорости нагрева в дифференциальном термическом анализе. J Res Nat Bur Stand. 1956; 57: 217–21.
CAS Статья Google ученый
Киссинджер HE. Кинетика реакций в дифференциально-термическом анализе.Anal Chem. 1957; 29: 1703.
Артикул Google ученый
Тахор Р.Л. Достижения в зародышеобразовании и кристаллизации стекол. Симпозиум Отделения стекла Американского керамического общества. Колумбус; 1972. с. 166–72.
Augis JA, Bennett JD. Расчет параметров Аврами для гетерогенных твердофазных реакций с использованием модификации метода Киссинджера. J Therm Anal. 1978; 13: 283–92.
CAS Статья Google ученый
Озтурк О., Эрдем М., Асикузун Э., Йылдыз О., Йилдирим Г., Варилджи А., Терзиоглу С. Исследование эффекта размера вдавливания (ISE) и микромеханических свойств добавленного Lu Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O y керамические сверхпроводники. J Mater Sci Mater Electron. 2013; 24: 230–8.
CAS Статья Google ученый
Коралай Х, Джавдар С, Аксан МА. Кинетика неизотермической кристаллизации Bi 3 Sr 2 Ca 2 Cu 3- x Sn x О 10+ δ Стеклокерамика.Phys B Condens Matter. 2010; 405: 4801–5.
CAS Статья Google ученый
Кавдар С., Дениз Э., Коралай Х., Озтюрк О, Эрдем М., Гунен А. Влияние добавления PbSe на механические свойства сверхпроводников Bi-2212. J Supercond Nov Magn. 2012; 25: 2297–307.
CAS Статья Google ученый
Абэ Ю. Сверхпроводящая стеклокерамика в Bi – Sr – Ca – Cu – O: создание и применение.Сингапур: World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd .; 1997. стр. 3–12.
Google ученый
Коралай Х., Якуфаноглу Ф., Кавдар С., Гюнен А., Аксу Э. Кинетика кристаллизации Bi 1,7 V 0,3 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O x стеклокерамика. Phys B Condens Matter. 2005; 355: 64–71.
CAS Статья Google ученый
Аксан М.А., Якинчи М.Е., Бальчи Ю. Исследование термического анализа Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3− x Er x О 10+ δ Стеклокерамическая система. J Therm Anal Calorim. 2005. 81: 417–23.
CAS Статья Google ученый
Safran S, Kılıç A, Asikuzun E, Kılıçarslan E, Ozturk O, Gencer A.Влияние различных прекурсоров бора на сверхпроводящие и механические свойства MgB 2 . J Mater Sci Mater Electron. 2014; 25: 2737–47.
CAS Статья Google ученый
Арда Л., Озтурк О., Асикузун Э., Атаоглу С. Структурные и механические свойства наночастиц ZnMgO, легированных переходными металлами. Пудра Технол. 2013; 235: 479–84.
CAS Статья Google ученый
Коралай Х, Арслан А, Джавдар С, Озтурк О, Асикузун Э, Гунен А, Таши АТ. Структурные и механические характеристики Bi 1,75 Pb 0,25 Sr 2 Ca 2 Cu 3− x Sn x O 10+ y сверхпроводниковая керамика с использованием теста микротвердости по Виккерсу. J Mater Sci Mater Electron. 2013; 24: 4270–8.
CAS Статья Google ученый
Тосун М., Атаоглу С., Арда Л., Озтюрк О., Асикузун Э., Аккан Д., Чакироглу О. Структурные и механические свойства наночастиц ZnMgO. Mater Sci Eng A. 2014; 590: 416–22.
CAS Статья Google ученый
Awad R, Abou-Aly AI, Kamal M, Anas M. Механические свойства (Cu 0,5 Tl 0,5 ) -1223, замещенного на Pr. J Supercond Nov Magn. 2011; 24: 1947–56.
CAS Статья Google ученый
Сангвал К. К вопросу об обратном размерном эффекте вдавливания и измерении микротвердости твердых тел. Mater Chem Phys. 2000; 63: 145–52.
CAS Статья Google ученый
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.
Настройка вашего браузера для приема файлов cookie
Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно.Ниже приведены наиболее частые причины:
- В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить, хотите ли вы принимать файлы cookie.
- Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
- Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
- Дата на вашем компьютере в прошлом.Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
- Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.
Почему этому сайту требуются файлы cookie?
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу.Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.
Что сохраняется в файле cookie?
Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.
Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта.Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.
Детали новости | Röchling Group RU
С SUSTAMID 6 FR теперь возможны крупногабаритные обрабатываемые детали и короткие партии
Lahnstein — С SUSTAMID 6 FR, Röchling Sustaplast KG, Lahnstein теперь предлагает — как самый первый производитель — полу- готовые экструдированные изделия из негорючего полиамида 6 (ПА 6).Этот недавно разработанный материал, отвечающий соответствующим требованиям нового европейского стандарта для железнодорожных транспортных средств DIN EN 45545-2: 2013, облегчает производство крупногабаритных механически обработанных компонентов и комплектующих деталей в небольших количествах.
Обработанные детали из огнестойкого полиамида 6 до сих пор могли изготавливаться только методом литья под давлением из-за технических ограничений. Это означало, что большие размеры и малое количество деталей не могли быть экономически реализованы из-за высокой стоимости инструмента.
Большие размеры и небольшие партии
С разработкой SUSTAMID 6 FR компания Röchling нашла способ экструдировать огнестойкий полиамид 6 и — как самый первый производитель — предлагает круглые стержни диаметром от 10 до 100 мм и Длина 3000 мм. Также доступны плоские стержни размером 620 мм x 3000 мм, прочностью от 8 до 60 мм. Размеры, даже превышающие эти, также могут быть изготовлены по запросу.
Очень высокий кислородный индекс — 40 процентов
При содержании 40 процентов SUSTAMID 6 FR отличается очень высоким кислородным индексом (LOI — Limiting Oxygen Index) и не содержит фосфора и галогенов.Огнестойкость классифицируется в соответствии с UL 94 с V0. По сравнению с обычными материалами, такими как сталь (7,85 г / см³), низкая плотность SUSTAMID 6 FR (1,17 г / см³) дает однозначные преимущества в отношении веса и, следовательно, конструкции. В то же время этот материал обладает высокой степенью жесткости, прочности на разрыв, а также хорошими характеристиками скольжения и износа с одновременно выдающейся коррозионной и химической стойкостью.
Многочисленные области применения
С SUSTAMID 6 FR компания Röchling нацелена на конкретные области применения, для которых предъявляются очень высокие требования к огнестойкости применяемого материала.Это касается приложений, особенно в пассажирских перевозках, таких как строительство рельсовых транспортных средств, аэрокосмическая промышленность или судостроение. Здесь SUSTAMID 6 FR доказывает свое несомненное преимущество в весе. Тем не менее, характеристики SUSTAMID 6 FR также открывают новые возможности и возможности для применения в горнодобывающей, электротехнической промышленности или в общественных зданиях.
Соответствует новому европейскому стандарту для рельсовых транспортных средств
SUSTAMID 6 FR выполняет соответствующие требования Европейского стандарта для железнодорожных транспортных средств DIN EN 45545-2: 2013, вступившего в силу в августе 2013 года.Этот новый стандарт предъявляет более жесткие требования к противопожарной защите и заменяет ранее существовавшие национальные стандарты для рельсовых транспортных средств, такие как, например, DIN 5510 в Германии.
Оптические характеристики | |
Коэффициент затухания Свободная трубка Кабели (типичный / максимальный 1 ) на длине волны 850 нм | 2.2 / 3,5 дБ / км |
Коэффициент затухания Свободная трубка Кабели (Типичный / Максимальный 1 ) на 1300 нм | 0,5 / 1,5 дБ / км |
Коэффициент затухания Кабели с жесткой буферизацией (типичное / максимальное 1 ) на длине волны 850 нм | 2,5 / 3,5 дБ / км |
Коэффициент затухания Кабели с жесткой буферизацией (типичный / максимальный 1 ) на 1300 нм | 0.6 / 1,5 дБ / км |
Точка разрыва при 1300 нм | ≤ 0,2 дБ |
Длина волны нулевой дисперсии | 1295-1340 нм |
Наклон нулевой дисперсии 1295 ≤ l0 ≤ 1310 нм | ≤ 0,105 пс / (нм2 · км) |
Наклон нулевой дисперсии 1310 ≤ l0 ≤ 1340 нм | ≤ 0.000375 · (1590-l0) пс / (нм2 · км) |
Числовая апертура | 0,200 ± 0,015 |
Эффективный групповой показатель преломления на длине волны 850 нм | 1.483 |
Эффективный групповой показатель преломления на 1300 нм | 1.478 |
Тактико-технические характеристики | |
Пропускная способность (запуск при переполнении) на 850 нм | ≥ 3500 МГц · км |
Пропускная способность (запуск с переполнением) на 1300 нм | ≥ 500 МГц · км |
Эффективная модальная полоса пропускания (EMB) при 850 нм | ≥ 4700 МГц · км |
Длина канала передачи для 10 Гбит / с 2 при 850 нм | 550 м |
Длина канала передачи для 10 Гбит / с 2 при 1300 нм | 300 м |
Геометрические характеристики | |
Диаметр сердечника | 50 ± 2.5 мкм |
Некруглость сердечника | ≤ 5,0% |
Ошибка концентричности сердцевины / оболочки | ≤ 1 мкм |
Диаметр оболочки | 125,0 ± 1,0 мкм |
Некруглость облицовки | ≤ 1.0% |
Диаметр первичного покрытия (неокрашенное волокно) | 242 ± 7 мкм |
Диаметр первичного покрытия (цветное волокно) | 250 ± 10 мкм |
Концентричность покрытия-оболочки | ≤ 10 мкм |
Потери на макроизгибах | |
100 витков, диаметр оправки 75 мм на длине волны 850 нм | ≤ 0.05 дБ |
100 витков, диаметр оправки 75 мм при 1300 нм | ≤ 0,15 дБ |
2 витка, диаметр оправки 30 мм на длине волны 850 нм | ≤ 0,1 дБ |
2 витка, диаметр оправки 30 мм при 1300 нм | ≤ 0,3 дБ |
2 витка, диаметр оправки 15 мм при длине волны 850 нм | ≤ 0.2 дБ |
2 витка, диаметр оправки 15 мм при 1300 нм | ≤ 0,5 дБ |
Механические характеристики | |
Уровень проверки | ≥ 0,69 ГПа (≥ 8,8 Н) |
Усилие нанесения покрытия | 1.9 N |
Параметр сопротивления динамической усталости | ≥ 23 |
1) ISO / IEC 11801-1 при радиусе 4,5 мкм и ≥ 86% при радиусе 19,0 мкм. При длине связи 1300 нм с использованием LX4. |
ПРОДАЖА VOLVO 850 T5R
ПРОДАЖА VOLVO 850 T5R Просмотрите списки автомобилей, внедорожников и грузовиков Edmunds, в которых содержится более 6 миллионов автомобилей, чтобы найти дешевый подержанный или сертифицированный подержанный (CPO) Volvo 850 T5R 1995 года выпуска для продажи рядом с вами.Не могу найти подержанный Volvo 850 850 1995 года. Подержанный Volvo 850 T5R 1995 года. 1 сентября 2015 г. · На смену Т-5R пришел 850 R, по сути тот же автомобиль с некоторыми улучшениями. Этот 850 R, выставленный на продажу в Кентукки, — редкое зрелище, пример в очень хорошем состоянии с пробегом всего 65 000 миль. Хотите заняться спортом со своей утилитой? Читайте дальше. НАЖМИТЕ ДЛЯ ПОДРОБНОЙ ИНФОРМАЦИИ: Volvo 850 R Estate 1996 года выпуска на eBay. Год: 1996 Модель: 850 T5 Estate 1996 Volvo 850 R Estate — Блог о продаже немецких автомобилей Купить подержанные Volvo 850 T5-r T5r 850R turbo 380 WHP Fast unique в Lindenhurst, Нью-Йорк, США. Найти или продать подержанные автомобили, грузовики и внедорожники в США. Продажа легковых автомобилей. Купить подержанные Volvo 850 T5. В 1994 году этот Volvo был доставлен в качестве нового автомобиля первому владельцу в Швеции.С тех пор был заполнен первоначальный буклет по техническому обслуживанию, что позволило продемонстрировать пробег в 214,154 км. Мощный 5-цилиндровый двигатель с турбонаддувом объемом 2319 куб.см работает очень хорошо, а с механической коробкой передач 850 T-5 R оставляет незабываемые впечатления от вождения. Volvo 850 T Найдите выгодные предложения, выгодные предложения и многое другое на Подержанном Volvo 850. Найдите 8 Подержанных автомобилей Volvo 850 на продажу, включая Volvo 850 Sedan 1995 года выпуска, Volvo 850 Turbo Wagon 1995 года и Volvo 850 Wagon 1996 года. Продажа подержанных Volvo 850 (с фотографиями) Подержанный Volvo 850 на продажу в Мичигане по годам.1997 Volvo 850 1996 Volvo 850 1995 Volvo 850 Магазин Новый Volvo 850. Похожие автомобили. BMW 5 Series 4 501,00 лота по цене от 8 495,00 долл. США Chevrolet Cruze 9 842,00 долл. США по цене от 3 795,00 долл. США Chrysler 200 3 931,00 долл. США по цене от 3 900,00 долл. США Подержанный Volvo 850 на продажу в Мичигане Очень редкий Volvo 850 T5 R 1995 года выставлен на аукцион! Я владею этой машиной последние 3 года и наслаждаюсь ею каждый день. Этот автомобиль находился в очень хорошем состоянии и… Продам б / у Volvo 850 T5R кремово-желтого цвета ОЧЕНЬ РЕДКО! в Сан.Найдите подержанные автомобили Volvo 850 для продажи на Auto Trader уже сегодня. С самым большим ассортиментом подержанных автомобилей Volvo 850 по всей Великобритании найдите подходящий автомобиль. Новые и подержанные автомобили Volvo 850 на продажу 2X черные тканевые регулируемые сиденья с красной строчкой, левый + правый ползунок (подходит для Volvo 850) 238,69 $. Было: 359,99 долларов. Бесплатная доставка. 104 продано. VOLVO 850 93-97 VOLVO 960 92 НАБОР РУЧКИ СИЛЬНОГО СИДЕНЬЯ из 2-х правых или левых № 42458 # 42459. $ 19,88. $ 3,25 доставка. Topline For Volvo SP Woven Cloth Reclinable Racing Seat + Slider (Passenger) — Blk (Подходит: Volvo 850) Сиденья для Volvo 850 на продажу Продажа вольво 850 т5.Введите свой адрес электронной почты, чтобы получать уведомления, когда у нас появятся новые объявления о продаже Volvo 850 t5. Вы можете отменить уведомления по электронной почте в любое время. Продолжая, вы соглашаетесь с нашим Официальным уведомлением и признаете, как мы обрабатываем. Продажа Volvo 850 T5 сиэтл> продается. «» Нажмите для поиска по Craigslist. 1996 Volvo 850 T-5 Turbo, 87 800 миль, 2 владельца от новых $ 9 995 фото скрыть эту публикацию восстановить восстановить эту публикацию. 400 долларов. добавить в избранное этот пост 7 марта Набор из (4) колесных дисков Volvo 16 «» Columbia «400 долларов США (Capitol Hill) … Продажа» Volvo 850 «в Сиэтле Продажа volvo 850 t5r Руководство по покупке.Если вы ищете Volvo 850 для продажи, CAR FROM JAPAN — подходящее место. На нашем веб-сайте покупатели могут выбрать желаемый подержанный Volvo 850 для продажи. Имея тысячи доступных автомобилей, мы — CAR FROM JAPAN — предоставляем выбор поставляются с различными типами двигателей, внутренними частями, трансмиссиями и установленными функциями, которые соответствуют вашим потребностям. Подержанный Volvo 850 на продажу 1995 850 t5r полностью механически отремонтирован. Продажа 9995 фунтов стерлингов. Я, наверное, пожалею об этом, но продается автомобиль t5r auto uk 155k, я купил этот автомобиль 4 года назад, теперь он ходил вокруг нескольких владельцев, так как у него были проблемы, которые они не могли ну вот и последний хозяин заменил двигатель (у машины-донора было 123к на часах), эта машина последние пару лет отвыкла от Volvo Classic Cars t5r For Sale Приобретите автомобили Volvo 850 для продажи в Хьюстоне, штат Техас, в магазине Cars.com. Изучите, сравните и сохраните объявления или свяжитесь с продавцами напрямую от 3 850 моделей в Хьюстоне. Подержанный Volvo 850 на продажу в Хьюстоне, Техас Миниатюрная презентация моделей с фотографиями: Volvo S60 D5 optima. Moteur 5 цилиндров, 20 суппортов с турбодизелем 2401 см3 Common Rail 2 ème [. ] — Автор: пропатчен — Страница: 152 — Страницы: 520 — Сообщение Дернье: 21-07-2019 des Volvo S60 / S80 [Le Topic Officiel] Хотел.Volvo 850 t5r / 850 r универсал или седан. Должен быть в хорошем состоянии. Марка: volvo 850 цвет: желтый пробег: 12345 км год.Volvo 850 — метро City Of Tshwane, Гаутенг — 1994 г. — 109 565 км. Продается безумный спальный вагон 850 т5 турбо вольво универсал это безумно хорошие машины и очень редко продаются в таком состоянии по поручению моего отца. В настоящее время продается 17 Volvo 850 См. Цены на подержанный Volvo 850 T-5 R Wagon 4D 1995 года выпуска. Получите справедливая закупочная цена KBB, рекомендованная производителем розничная цена и счет дилера на Volvo 850 T-5 R Wagon 4D 1995 года выпуска. Просмотрите местный инвентарь и получите расценки. Подержанный 1995 Volvo 850 T Сделайте ставку на возможность приобрести Volvo 850R Wagon 1997 года на аукционе в магазине Bring a Trailer, где собраны лучшие старинные и классические автомобили в Интернете.Лот № 1099. Volvo 850R Wagon 1997 года выпуска выставлен на продажу на аукционе BaT Совершенно новый и подержанный Volvo 850 на продажу на Филиппинах. Дилеры, гаражи Volvo 850, цены, стоимость и предложения. В настоящее время у нас есть 2 автомобиля Volvo 850 на продажу. Частные продажи или подержанные Volvo 850 или сертифицированные и специальные предложения со всех Филиппин. Продажа автомобилей Volvo 850 на Филиппинах На этой странице представлены различные подержанные автомобили VOLVO 850_ESTATE. Найдите свой идеальный подержанный VOLVO 850_ESTATE на Goo-net Exchange. На бирже Goo-net имеется более 350 321 автомобиль, включая иностранные и японские подержанные автомобили, и перечисленная информация обновляется в режиме реального времени.850_ESTATE Подержанный VOLVO Приобретите автомобили Volvo 850 для продажи в Сиэтле, штат Вашингтон, на сайте Cars.com. Изучите, сравните и сохраните объявления или свяжитесь с продавцами 2 850 моделей в Сиэтле напрямую. Подержанный Volvo 850 на продажу в Сиэтле, штат Вашингтон 11 апреля 2019 г. · Поклонники Volvo знают все о модели 850, которая стала первой попыткой бренда перейти на передний привод — и гораздо более современным автомобилем 1990-х годов, чем квадратный Volvo 240, который он заменил. Но многие автолюбители не подозревают, что была высокопроизводительная версия 850, продававшаяся с 1995 по 1997 год — и вот отличный пример: Volvo 850 T-5R 1995 года, который проехал всего 42000 миль от нового.Находка автотрейдера: низкая Купите свой классический автомобиль в ER Classics. В нашем автосалоне в Нидерландах всегда более 400 классических автомобилей. Просмотрите наши онлайн-акции сегодня. Покупаете классический автомобиль? ER Classics. Volvo 850 2.0 20v 5 цилиндров SE продается 5 предыдущими владельцами, из которых 2 были из одной семьи Всего 107800 км. Это может увеличиваться как в некоторых случаях использования. Теперь проверенный классический автомобиль — страховка на этот классический автомобиль очень дешевая, менее 150 фунтов стерлингов в год. 1994 год; Пробег… Продажа б / у Volvo 850 Volvo 850 2.3 T5R ZWART / HANDGESCHAKELD. Бензин с механической коробкой передач 1994 года 262000 км. 13 999. Авто Volvo 850 T5r б / у, цена и объявления Автомобили Volvo 850 на продажуУ нас есть 3 автомобиля Volvo 850 в продаже и у частных лиц. Обыскал 3 машины. Последние предложения Volvo 850. Сортировать по . Продажа автомобилей Volvo 850 Продажа б / у Volvo 850 по годам. 1997 Volvo 850 3.00 1996 Volvo 850 5.00 1995 Volvo 850 4.00 1994 Volvo 850 1.00 Магазин Новый Volvo 850. Похожие автомобили. BMW 5 серии 4822.00 лота по цене от 8900 долларов.00 Chevrolet Cruze 9 388,00 лотов по цене от 4 455 долл. США Chrysler 200 3 893,00 л. По цене от 3 995,00 долл. США Подержанный Volvo 850 на продажу Одинаковый цветовой код использовался на разных моделях Volvo. Например, темно-синий код 96 использовался на Volvo серии 120 и 140. Конечно, оба они одного цвета. . Пример: 850 имеет код краски 189-21. Первые три цифры (в данном случае 189) обозначают цветовой код Volvo 189 Polar White. Четвертая цифра означает: Цветовые коды окраски Volvo. Продажа автомобилей вольво 850 р.1-8 из 8. Уведомление о новых объявлениях. Сортировать по 1996 Volvo 850 R Volvo 850R 1996 Black Wagon. Если бы у меня еще не было машины проекта 850 T5R, я бы сохранил ее, учитывая ее редкость и состояние. VIN: YV1LW5822V2289791 Я второй владелец. Машину я приобрел у первоначального владельца в 2013 году за 104к миль. Продажа автомобилей Volvo 850 R Volvo 850 2.0 20v 5 цилиндров SE продается 5 предыдущими владельцами, из которых 2 были из одной семьи Всего 107800 км. Это может увеличиваться как в некоторых случаях использования.Теперь проверенный классический автомобиль — страховка очень дешевая на этот классический автомобиль, менее 150 фунтов стерлингов в год. Подержанный Volvo 850 для продажи в Англии. Volvo 850 t5r продается VOLVO 850 T5R: 9700 £ | VOLVO 850 T-5R R AWD GLT БРОВИ СВЕТЛО-БРОВИ: 14.95 £ | Наклейка I Love My Volvo 850 Estate 93> 96: 3. | https://www.for-sale.co.uk Volvo 850 T5r для продажи в Великобритании Продается Vovlo 850 Turbo Sportswagon 1995 года выпуска. Он имеет третий ряд сидений, вмещающий до 7 человек (третий ряд обращен назад).Это была отличная машина, и мы всегда чувствовали себя хорошо за рулем, зная, насколько эти Volvo действительно безопасны. Продажа Volvo 850 Turbo Wagon 08 ноя, 2006 · Продажа Volvo 850 Tr-5 — Ebay Продажа Volvo 850 Tr-5 — Ebay. Автор GODZILLA, 8 ноября 2006 г. в Group Buys And For. Отправлено 8 ноября 2006 года. Привет, ребята, я как раз смотрел сегодня вечером на ebay и наткнулся на этот красивый чистый 850 t5r на продажу. В нем много улучшений и индивидуального снаряжения. Любой, кто хочет купить R, может захотеть взглянуть на него. Volvo 850 Tr 7 марта 2021 г. · Вот лучшие объявления о продаже Volvo 850 как можно скорее.Проверьте carfax, найдите низкий миль 850, просмотрите 850 фотографий и особенности интерьера / экстерьера. Поиск по цене, просмотр сертифицированных подержанных автомобилей 850, фильтрация по цвету и многое другое. Какая будет ваша следующая поездка? 50 лучших подержанных Volvo 850 на продажу, экономия от 2329 долларов Хотел.Volvo 850 t5r / 850 r универсал или седан. Должен быть в хорошем состоянии. 4. junkmail.co.za. Сообщить об объявлении. Страница 1 из 1 . Введите свой адрес электронной почты, чтобы получать уведомления, когда у нас появятся новые объявления о продаже автомобилей Volvo 850. Вы можете отменить оповещения по электронной почте в любое время.Продолжая. Продажа автомобилей Volvo 850 Volvo 850 GLT Wagon 1996 года Описание: Б / у Volvo 850 GLT Wagon 1996 года выпуска — 4995 долларов — 67 104 миль с люком / люком, сертифицированные легкосплавные диски Б / у: Volvo 850 не продается прямо сейчас Этот автомобиль примерно на 2700 долларов меньше, чем средняя цена Volvo 850 1995 года выпуска, выставленного на продажу в Соединенных Штатах. $ 2,990 Проверить наличие. Volvo 850 1995 года. Пробег 180312 миль. Продажа Volvo 850 Универсал 1995 850 t5r полностью механически отремонтирован. Продажа 9995 фунтов стерлингов. Я, наверное, пожалею об этом, но продается автомобиль t5r auto uk 155k, я купил эту машину 4 года назад, теперь она ходила по нескольким владельцам, так как у нее были проблемы, которые они не могли ну вот и последний хозяин заменил двигатель (у машины-донора было 123к на часах), эта машина последние пару лет отвыкла от Volvo Classic Cars 850 For Sale Продажа классических автомобилей Volvo 850.Найдите свой идеальный классический автомобиль на продажу. Trade Private Include продали классические автомобили Volvo 850 на продажу См. Результаты 2 по продаже Volvo 850 t5 r по лучшим ценам, самый дешевый автомобиль — от 11 999 фунтов стерлингов. Ищете больше машин? Изучите также Volvo 850 на продажу! Продажа Volvo 850 T5 R Volvo 850 T5-R: Volvo 850 T5R, выставленный на продажу, представляет собой модель с турбонаддувом, которая может разгоняться до 100 км / ч менее чем за шесть секунд и развивать скорость почти 244 км / ч. Губа переднего бампера, задние спойлеры, алюминиевые накладки на пороги, кожа, черный интерьер, дизайнерские сиденья и множество роскошных элементов доступны в моделях Volvo T5R.Продажа моделей Volvo 850 13 октября 2020 г. · 1995 Volvo 850 T5-R Wagon Автор: Картер 13 октября 2020 г. 11 октября 2020 г. Volvo. Как мы уже говорили, некоторые избранные марки и автомобили получают доступ к этим страницам, и одно из моих любимых исключений — универсалы Volvo. Султаны площади немного помешались с турбонаддувом в течение нескольких поколений; у всех 240, 740, 850 и V70. Volvo 850 T5 1995 года Поиск новых и подержанных автомобилей Volvo 850 на продажу в Австралии. Прочтите обзоры автомобилей Volvo 850 и сравните цены и характеристики Volvo 850 на распродаже автомобилей.com.au. Автомобили Volvo 850 на продажу в Австралии Сэкономьте на одном из 3 подержанных Volvo 850 в Портленде, штат Орегон. Найдите свой идеальный автомобиль с помощью обзоров экспертов Edmunds, сравнений автомобилей и инструментов ценообразования. Подержанный Volvo 850 на продажу в Портленде, штат Орегон Сиэтл> продается от собственника. «» Нажмите для поиска по Craigslist. 1995 Volvo 850 T5R $ 5 500 (pdx> Damascus) рис. Скрыть эту публикацию восстановить восстановить эту публикацию. 3000 долларов. добавить в избранное 21 февраля 1996 г. Volvo 850 Estate Wagon (хорошее состояние / хорошо работает) $ 3 000 (pdx> Vancouver) рис. скрыть эту публикацию восстановить восстановить эту публикацию.Сиэтл на продажу владельцем «Volvo 850» Посмотрите все Volvo 850 t5 на продажу по лучшим ценам, самый дешевый автомобиль — от 15 000 рандов. Ищете другие автомобили? Узнайте обо всех выставленных на продажу автомобилях Volvo 850! Продажа Volvo 850 T5 Выполните поиск подержанного Volvo 850 T5R Turbo на продажу, чтобы найти лучшие предложения. iSeeCars.com ежедневно анализирует цены на 10 миллионов подержанных автомобилей. Продажа подержанных Volvo 850 T5R Turbo: 6 автомобилей по цене от 1995 $. 1995 Volvo 850 T5R Turbo для продажи по всей стране. Используется поиск; Искать новый; На машине; По стилю кузова; По цене; к.ZIP. Радиус. Поиск. Фильтр Результаты Найдите Volvo 850 T5R Turbo 1995 года выпуска на продажу рядом со мной. Search Coronavirus update: новые бесконтактные сервисы, которые помогут вам обезопасить себя. Volvo 850 GLT 1996 года выпуска. Подержанные 1995 Volvo 850 T5R Turbo выставлены на продажу прямо сейчасТемпературно-зависимые физические характеристики и характеристики памяти конденсаторов с металлическими нанокристаллами RuO2, осажденных атомным слоем
Физические характеристики и характеристики памяти конденсаторов с металлическими нанокристаллами RuO2, осажденных атомным слоем, в n-Si / SiO 2 / HfO 2 / RuO𝑥 / Al 2 O 3 / Исследована структура Pt при различных температурах отжига после осаждения от 850 до 1000 ° C.Нанокристаллы металла RuO𝑥 со средним диаметром 7 нм и высокой плотностью 0,7 · 10 12 / см 2 наблюдаются с помощью просвечивающей электронной микроскопии с высоким разрешением после отжига после осаждения при температуре 1000 ° C. Плотность нанокристалла RuO𝑥 уменьшается (немного) при увеличении температуры отжига из-за агломерации множества нанокристаллов. Нанокристаллы RuO 3 и слой силиката Hf на границе SiO 2 / HfO 2 подтверждены данными рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.При температуре отжига после осаждения 1000 ° C конденсаторы памяти с малой эквивалентной толщиной оксида ~ 9 нм обладают большим окном гистерезисной памяти> 5 В при небольшом качающемся напряжении затвора ± 5 В. Многообещающее окно памяти под небольшое качающееся напряжение затвора ~ 3 В также наблюдается из-за захвата заряда в нанокристаллах металла RuO𝑥. Механизм программирования / стирания представляет собой модифицированное туннелирование Фаулера-Нордхейма (F-N) электронов и дырок из Si-подложки. Электроны и дырки захватываются нанокристаллами RuO𝑥.Превосходная выносливость программы / стирания 10 6 циклов и большое окно памяти 4,3 В с небольшой потерей заряда ~ 23% при 85 ° C наблюдаются после 10 лет хранения данных из-за ловушек глубокого уровня в нанокристаллы RuO𝑥. Структура памяти очень многообещающая для будущих приложений энергонезависимой памяти нанометрового масштаба.
1. Введение
Устройства памяти с низким напряжением программирования / стирания и лучшей масштабируемостью с отличным сроком службы / сохранением требуются для будущих высокопроизводительных наноразмерных приложений флэш-памяти.Согласно Международной дорожной карте технологий для полупроводников (ITRS) на технологическом узле 20 нм [1], масштабирование толщины туннельного оксида является одной из ключевых проблем для обычных запоминающих устройств с плавающим затвором. В последнее время сообщалось о многих нанокристаллах с преимуществами многих уровней энергии, а также высокой вероятностью захвата заряда, высокой скоростью работы с низким напряжением программирования / стирания, высоким потенциалом масштабируемости, отличной выносливостью и сохранением данных и т. Д. [2–10].Из-за более высокой плотности состояний вокруг уровня Ферми, дискретного накопления заряда в нанокристаллах и более сильной связи с каналом проводимости толщина туннельного оксида может быть уменьшена для устройств памяти с нанокристаллами металлов или оксидов металлов. Многие исследователи также сообщают о том, что для решения проблем масштабирования используются туннельные барьеры с высоким значением κ , такие как HfO 2 и Al 2 O 3 . Металлические нанокристаллы, встроенные в туннельные барьеры с высоким значением κ и высокой термостабильностью (~ 1000 ° C), необходимы в будущих наноразмерных приложениях энергонезависимой памяти, которые могут соответствовать традиционной технологической линии комплементарного оксида металла-полупроводника (CMOS).Недавно появились сообщения о нанокристаллических устройствах памяти TiN с технологическими температурами 1000 ° C [7] и ~ 1050 ° C [10]. Благодаря высокой температуре плавления (~ 1200 ° C [11]) и высокой работе выхода (Φ𝑚> 4,7 эВ) материалов оксида рутения (RuO2) этот нанокристалл также может использоваться в качестве узла накопления заряда в устройстве флэш-памяти нанометрового масштаба. Приложения. Кроме того, материал RuO2 может быть нанесен методом атомно-слоистого осаждения (ALD), что будет полезно в будущих приложениях. В данной работе представлена зависимость от отжига нанокристаллов RuO𝑥, осажденных атомными слоями, внедренных в слои с высоким содержанием κ HfO 2 / Al 2 O 3 в n-Si / SiO 2 / HfO 2 / RuO𝑥 / Al 2 O 3 / Исследована структура памяти Pt.После температурного отжига после осаждения (PDA) в диапазоне 850–1000 ° C образуется слой силиката Hf на границе SiO 2 / HfO 2 . Устройства памяти с низким напряжением (<5 В) и хорошими характеристиками памяти достигаются после высокой температуры КПК в 1000 ° C.
2. Экспериментальная часть и методы
Подложка Si (100) n-типа с легированием 1 × 10 17 / см 3 была очищена с помощью процесса RCA. Для удаления естественного оксида с поверхности Si пластина погружалась в раствор HF.После очистки кремниевых пластин туннельный оксид (SiO 2 ) с номинальной толщиной 3 нм был выращен методом быстрого термического окисления (RTO) при температуре подложки 1000 ° C в течение 15 с. Газообразный кислород (O 2 ) использовали для окисления. Пленка HfO 2 с высоким значением κ и толщиной 2 нм после осаждения была выращена для смачивающего слоя методом ALD. Пленка HfO 2 с высоким содержанием κ может быть использована в составе туннельного оксида. Туннельные оксидные слои пакета представляют собой пленки SiO 2 и HfO 2 , которые также могут улучшить характеристики памяти.Затем металлический слой RuO2 с толщиной ~ 2 нм после осаждения был выращен методом ALD с использованием диэтилциклопентадиенилрутения [Ru (EtCp) 2 ] прекурсора при температуре подложки 350 ° C. Температура прекурсора 100 ° C. Пленка с высоким κ Al 2 O 3 толщиной 20 нм была осаждена in situ для блокирующего оксида методом ALD. Прекурсор H 2 O использовался для определения содержания кислорода. Описание осаждения пленок с высоким содержанием κ и оксидов металлов методом ALD можно найти в нашей предыдущей работе [12].Для формирования нанокристаллов RuO𝑥 из нанослоя RuO𝑥 используется процесс PDA с температурой от 850 до 1000 ° C в течение 1 мин в газовых смесях N 2 (90%) + O 2 (10%) путем быстрой термической обработки. был проведен процесс отжига (RTA). Чтобы сохранить качество пленки с высоким содержанием κ Al 2 O 3 во время процесса RTA, в процессе отжига использовалось небольшое количество (10%) газообразного кислорода. Для сравнения, чистая пленка Al 2 O 3 в качестве улавливающего заряд слоя также была нанесена на подложку SiO 2 / Si.Толщина пленки Al 2 O 3 составляла 20 нм. Улавливающий заряд слой Al 2 O 3 отжигали при 900 ° C в течение 1 мин. в N 2 ambient по процессу RTA. Платиновый (Pt) металлический электрод затвора с площадью затвора 1,12 × 10 −4 см 2 был изготовлен с использованием теневой маски. Схематический вид конденсаторов с металлическими нанокристаллами RuO2 показан на рисунке 1. Металлические нанокристаллы RuO2 внедрены в пленки HfO 2 / Al 2 O 3 с высоким содержанием κ .В таблице 1 приведены толщины и электрические характеристики конденсаторов памяти на основе нанокристаллов RuO. Для подтверждения размера и микроструктуры нанокристаллов RuO𝑥 была проведена просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения (HRTEM) с рабочим напряжением 300 кВ и разрешением 0,17 нм. Для исследования химических связей сигналов Si – O, Hf – O, Ru – O и Al – O была проведена рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS). Характеристики памяти, такие как гистерезис емкости-напряжения ( C-V ), плотность тока-напряжение ( J-V ), удержание и выносливость и т. Д., Были исследованы с использованием измерителя HP 4284A LCR и полупроводникового измерительного анализатора HP 4156C.
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3. Результаты и обсуждение
Толщина осажденных диэлектрических слоев подтверждена изображениями поперечного сечения ПЭМВР, как показано на рисунке 2 (а). Пленка после осаждения исследуется для сравнения. Толщина слоев SiO 2 , HfO 2 , RuO 2 и Al 2 O 3 составляет 3, 2, 2 и 20 нм соответственно для осажденной пленки.Металлический слой RuO2 является кристаллическим, в то время как пленки с высоким содержанием κ HfO 2 и Al 2 O 3 выглядят аморфными по своей природе. Элементный состав всех слоев наблюдается с помощью энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDS) с размером пятна 0,5 нм в диаметре и пространственным разрешением ~ 1 нм (рис. 2 (b)). Цифры, указанные на спектрах EDS, соответствуют номерам на изображении ПЭМ. Пик элементного состава атомов гафния (Hf), рутения (Ru), кислорода (O) и алюминия (Al) составляет 23.6, 3,5, 60,3 и 37,5 ат.% Соответственно. По оценкам, пленки SiO 2 , HfO 2 и Al 2 O 3 близки к стехиометрии пленки после осаждения. После отжига при 850 ° C (образец: S1) нанослой RuO𝑥 показал нанокристаллы (рис. 2 (c)). Пиковый элементный состав атомов Hf, Ru, O и Al составляет 24,5, 17,7, 59,5 и 39,9 ат.% Соответственно (рис. 2 (d)). После отжига атомная концентрация Ru увеличивается с 3,5 до 17,7 ат.%.Предполагается, что эта более высокая атомная концентрация Ru после процесса отжига может быть связана как с образованием нанокристаллов с высоким содержанием Ru, так и с более высокой толщиной от 2-3 нм. Кроме того, атомные концентрации атомов Si и Hf в положении луча 4 составляют 33,2 и 13,5 ат.%, Соответственно, для отожженных конденсаторов памяти, и эти значения составляют 29,9 и 6 ат.% Для конденсатора после осаждения. Увеличение количества атомов Si и Hf на границе SiO 2 / HfO 2 можно объяснить диффузией атомов Hf и Si после процесса отжига.Это происходит из-за образования силиката Hf (HfSi𝑥O𝑦 или просто HfSiO) на границе раздела SiO 2 / HfO 2 , что также было подтверждено последующими измерениями XPS позже. Атомные концентрации Al и Hf в положении луча 6 составляют 8,1 и 24,7 соответственно для отожженных конденсаторов памяти, в то время как эти значения составляют 6,1 и 24 для осажденных конденсаторов. Атомные концентрации увеличиваются (немного) после процесса отжига. Это указывает на то, что атомы Hf и Al также диффундируют после процесса отжига, который также может образовывать HfAl𝑥O𝑦 на границе раздела HfO 2 / Al 2 O 3 или вблизи нанокристаллов RuO𝑥.Толщина слоев SiO 2 , HfO 2 и Al 2 O 3 оказалась равной 3,5, 1 и 17 нм соответственно (рис. 3 (а)). Толщина нанокристалла RuO𝑥 составляет примерно 3 нм. Общая физическая толщина слоев туннельных оксидов, включая SiO 2 , HfSiO и HfO 2 , составляет 4,5 нм, что является одной из важных ключевых областей для улучшения характеристик памяти. Толщина слоя SiO 2 немного (0,5 нм) увеличена по сравнению с толщиной слоя после осаждения.Толщина пленок HfO 2 и Al 2 O 3 уменьшена (2–1 нм и 20–17 нм) по сравнению с толщиной пленки после осаждения за счет как образования нанокристаллов, так и уплотнения пленки. фильмы. Все пленки, включая HfO 2 , RuO 2 и Al 2 O 3 , после процесса отжига становятся кристаллическими. Толщина SiO 2 увеличивается (3,5–4 нм) за счет увеличения температуры отжига с 850 ° C до 1000 ° C (рис. 3 и таблица 1) из-за диффузии кислорода и образования HfSiO на SiO 2. / HfO 2 интерфейс.Толщина слоя SiO 2 , включая пленку HfSiO, составляет приблизительно 4 нм при температуре PDA 1000 ° C. Толщина слоев туннельного оксида, включающего SiO 2 , HfSiO и HfO 2 нм, составляет приблизительно 5 нм. Ожидается, что толщина слоя HfSiO составляет около 0,5–1,0 нм. Толщина (от ~ 3 нм при 850 ° C до ~ 4 нм при 1000 ° C) и средний диаметр (от ~ 7 нм при 850 ° C до ~ 11,5 нм при 1000 ° C) металлических нанокристаллов RuO𝑥 также увеличиваются с увеличением при температуре отжига до 1000 ° C (образец: S4) из-за агломерации или образования нанодвойников после высокотемпературного процесса.Об образовании Si и металлических нанодвойников после процесса отжига также сообщили Wang et al. [13]. На рисунке 4 показано ПЭМ-изображение в плоскости нанокристаллов RuO𝑥 в структуре памяти n-Si / SiO 2 / HfO 2 / RuO𝑥 / Al 2 O 3 / Pt при температуре 850 ° C на КПК. (образец: S1). Хорошо видны нанокристаллы RuO𝑥. Средний диаметр составляет примерно 7 нм, что больше, чем у поперечного сечения ПЭМ-изображения на Рисунке 2 (c) (диаметр: ~ 4 нм) из-за разной ориентации кристаллов или изображения, снятого в разных положениях.Нанокристаллы имеют форму круглого диска, диаметр варьируется от 4 до 10 нм. На рис. 5 показаны диаметр и плотность нанокристаллов металла RuO𝑥 при различных диапазонах температур отжига от 850 до 1000 ° C. Плотность нанокристаллов RuO𝑥 рассчитывалась из изображений ПЭМ в плоскости обзора. Плотность нанокристаллов металла RuO𝑥 высока: 1,5 × 10 12 / см 2 при температуре КПК 850 ° C; 0,7 × 10 12 / см 2 при температуре КПК 1000 ° C. Один нанокристалл RuO𝑥 с разными температурами отжига также показан на вставке к рисунку 5.При температуре PDA 1000 ° C нанокристаллы трудно четко наблюдать на ПЭМ-изображении с плоскости из-за кристаллической пленки Al 2 O 3 . Это свидетельствует о том, что плотность нанокристаллов металла RuO𝑥 уменьшается (незначительно) с увеличением температуры отжига из-за агломерации множества нанокристаллов. Размеры нанокристаллов варьируются от 4–10 нм, 4–12 нм, 4–17 нм и 5–18 нм для КПК при 850 ° C, 900 ° C, 950 ° C и 1000 ° C соответственно (данные не показано). Средние диаметры от 7 до 11.5 нм для температур отжига от 850 ° C до 1000 ° C. Распределение нанокристаллов по размерам становится широким с увеличением температуры отжига. Однако характеристики памяти очень многообещающие для будущих приложений энергонезависимой памяти нанометрового масштаба. Кроме того, состав нанокристаллов металла RuO2 объясняется с помощью РФЭС ниже.
На рис. 6 (а) показаны спектры Ru 3d при различных температурах отжига. Нанокристаллы металла RuO𝑥 демонстрируют дублеты Ru 3d 5/2 и Ru 3d 3/2 .При температуре КПК 850 ° C (образец: S1) пиковая энергия связи электронов Ru 3d 5/2 и Ru 3d 3/2 составляет 281,7 эВ и 285,9 эВ, соответственно. Энергии связи пиков весьма близки: 281,7–281,5 эВ для электронов Ru 3d 5/2 и 285,9–285,7 эВ для электронов Ru 3d 3/2 при повышении температуры отжига от 850–1000 ° C. Подгонка пиков электронов остовного уровня Ru 3d 5/2 выполняется с помощью вычитания фона Ширли и функций Гаусса / Лоренца при температуре КПК 1000 ° C (рис. 6 (b)).Пик RuO 3 расположен при 281,5 эВ. Наблюдается незначительная интенсивность пиков RuO 2 и RuO 4 . Положения пиков энергии связи и расстояние между дублетами (4.0–4.2 эВ) указывают на присутствие нанокристаллов RuO𝑥. Zhang et al. [14] сообщили, что пиковая энергия связи электронов Ru 3d 5/2 для элементов Ru и RuO 2 составила 280,6 эВ и 281,6 эВ, соответственно. Kaga et al. В [15] сообщается, что пиковая энергия связи электронов Ru 3d 5/2 составляет 280 эВ для Ru и 280 эВ.8 эВ для пленок RuO 2 . В основном, элемент RuO 3 практически не изменяется до температуры отжига 1000 ° C из-за высокой термической стабильности нанокристаллов RuO𝑥 в конденсаторах памяти.
На рис. 7 (а) показаны пики Hf 4f при различных температурах отжига. Пики расположены на Hf 4f 7/2 и Hf 4f 5/2 . Эти дублетные пики Hf 4f происходят от пленки чистого HfO 2 или силиката Hf.Пиковая энергия связи составляет 17–16,7 эВ для электронов Hf 4f 7/2 и 18,6–18,4 для электронов Hf 4f 5/2 при различных температурах отжига от 850–1000 ° C (образцы : S1 – S4). Сдвиг пика Hf в сторону более высокой энергии связи объясняется как образованием пленок Hf-силиката, так и Hf-алюмината, что на ~ 0,3 эВ выше, чем у чистой пленки HfO 2 (16,7 эВ [16]). На рисунке 7 (b) показаны электроны остовного уровня Si 2p с различными температурами отжига (образцы: S1 и S4).Дополнительный сдвиг пика по отношению к спектрам остовного уровня Si 2p (99,2 эВ) на межфазном слое структур HfO 2 / SiO 2 составляет ~ 3,45 эВ при различных температурах отжига 850 ° C и 1000 ° C. ° C. Более низкий сдвиг энергии связи Si 2p по отношению к SiO 2 (~ 4,2 эВ) указывает на то, что межфазный слой состоит из атомов Hf или образованного соединения силиката Hf. Считается, что этот слой силиката Hf находится на границе раздела SiO 2 / HfO 2 или сам слой HfO 2 является слоем HfSiO.Кроме того, интенсивность пика SiO 2 (~ 102,65 эВ) в спектрах Si 2p увеличивается при температуре PDA 1000 ° C. Это означает, что толщина туннельного оксидного слоя увеличивается с увеличением температуры КПК. Наблюдаются энергии связи Al-O в диапазоне 74,7–74,5 эВ с разными температурами отжига (данные не показаны). Энергии связи пиков спектров O 1s составляют 532,4–532,2 эВ для различных температур отжига, что указывает на пленку Al 2 O 3 .Благодаря нанокристаллам металла RuO2, внедренным в пленки с высоким содержанием κ HfO 2 / Al 2 O 3 , можно ожидать улучшенных характеристик накопления заряда при работе при низком напряжении, что объясняется ниже.
Гистерезисные характеристики емкости-напряжения по часовой стрелке ( C-V ) конденсаторов памяти с металлическими нанокристаллами RuO2 при различных качающихся напряжениях затвора () при температуре КПК 950 ° C (образец: S3) показаны на рисунке 8 (a). Частота измерения C-V составляла 1 МГц.Время удержания и задержки составляло 0,1 с во время измерения C-V . Наблюдается окно гистерезисной памяти Δ В ≈ 4,2 В при небольшом качающемся напряжении затвора = ± 3 В. Окно памяти гистерезиса увеличивается за счет увеличения качающихся напряжений затвора. Благодаря высокой плотности нанокристаллов металла RuO𝑥 достигается большое окно памяти Δ В ≈ 10,8 В при качающемся напряжении затвора g = ± 7 В. Плотность захвата электронов (или дырок) при положительном и отрицательном напряжениях затвора может быть рассчитана с помощью следующего уравнения: 𝑁электрон (дырка) = Δ𝑉FB⋅𝐶Al2O3, 𝑞⋅Φ (1) где Δ𝑉FB (= 𝑉FB − 𝑉FBN) — сдвиг напряжения затвора под действием внешнего напряжения затвора, 𝑉FB — напряжение плоской полосы.𝑉FBN — это нейтральный 𝑉FB, где окно гистерезисной памяти не наблюдается при небольшом качающемся напряжении затвора, 𝐶Al2O3 — это емкость блокирующего оксида [17], «Φ» — площадь затвора, а « q » — заряд электрона. Напряжение нейтральной плоской зоны (FBN) составляет +0,05 В при напряжении затвора ± 0,5 В (данные не показаны). Максимальное значение 𝐶 составляет 48,72 пФ, что очень полезно для приложений с наноразмерной флэш-памятью. Емкость Al2O3 составляет ~ 75,8 пФ при использовании диэлектрической проницаемости ~ 13 пленок Al 2 O 3 [18].Значения 𝑉FB составляют 1,5, 3,1 и 4,5 В при качающихся напряжениях затвора +3 В → −3 В, +5 В → −5 В и +7 В → −7 В соответственно, тогда как эти значения равны −2,7. В, −4,4 В и −6,3 В при качающихся напряжениях затвора −3 В → + 3 В, −5 В → + 5 В и −7 В → + 7 В соответственно. С учетом 𝑉FBN = +0,05 В и (1) вычислены высокие плотности захвата электронов ~ 6,12 × 10 12 , 1,29 × 10 13 и 1,86 × 10 13 см −2 ниже напряжения затвора +3 В, +5 В и +7 В соответственно.Также были рассчитаны высокие плотности захвата дырок ~ 1,12 × 10 13 , 1,83 × 10 13 и 2,64 × 10 13 см −2 при напряжениях на затворе −3 В, −5 В, — 7 В соответственно. Это говорит о том, что плотность захвата дырок выше, чем плотность захвата электронов, что объясняется следующим образом. Свободные энергии Гиббса материалов HfO 2 , RuO 3 и Al 2 O 3 составляют -1010,75, -40,875 и -1582,3 кДж / моль при 300 K соответственно.Пленки HfO 2 и Al 2 O 3 будут окисляться легче, чем пленки RuO 3 . Это предполагает, что сбор кислорода (O 2–) может наблюдаться в пленках HfO 2 и Al 2 O 3 , а дефицит кислорода может наблюдаться внутри пленок RuO𝑥. Это предполагает, что нанокристаллы RuO𝑥 подобны структуре ядро-оболочка, то есть богатый Ru находится внутри нанокристалла, а богатый кислородом — вне нанокристалла. Таким образом, кольцевая область нанокристаллов будет богата кислородом, где атомы Hf или Al будут смешаны с атомами Ru.Таким образом, кислородная вакансия (дефекты положительного типа) может быть реализована внутри нанокристалла, а обогащенная кислородом (дефекты отрицательного типа) может быть реализована на границе нанокристалла. Как следствие, дефекты положительного типа могут захватывать электроны, а дефекты отрицательного типа могут захватывать дырки. Ожидается, что площадь, покрываемая кольцевой областью нанокристаллов, должна быть больше, чем площадь ядра нанокристаллов. Считается, что дырки будут захвачены в кольцевой области, в то время как электроны будут захвачены в центральной области нанокристаллов.Учитывая плотность нанокристаллов 0,8 × 10 12 см -2 при температуре КПК 950 ° C, один нанокристалл RuO𝑥 может улавливать 23 электрона и 33 дырки при напряжениях затвора +7 В и -7 В соответственно. Окна гистерезисной памяти, а также плотность захвата электронов (или дырок) могут быть изменены с помощью качающегося напряжения затвора и различных температур отжига, как показано на рисунке 8 (b). Наблюдается большое окно гистерезисной памяти конденсаторов памяти с металлическими нанокристаллами RuO𝑥 при различных температурах отжига по сравнению с таковым у чистого Al 2 O 3 слоев улавливания заряда в Pt / Al 2 O 3 (20 нм) / SiO 2 (3 нм) / Si, обусловленная захватом заряда нанокристаллами RuO𝑥.Для сравнения были также изготовлены конденсаторы памяти с наплавленным металлическим слоем RuO𝑥 в структуре n – Si / SiO 2 / HfO 2 / RuO 2 / Al 2 O 3 / Pt. В соответствии с нашей конструкцией конденсатора металлический электрод затвора (Pt) нанесен с помощью теневой маски. Это указывает на то, что изоляция между устройствами наблюдается только с помощью металлического электрода затвора, но металлический слой RuO2 является сплошным. Для пленки RuO2 после осаждения характеристики C-V не могли быть обнаружены с помощью нашей системы измерения CV, и система показывает ПЕРЕГРУЗКУ.Затем конденсаторы были отожжены от 600 до 1000 ° C. Характеристики C-V наблюдаются с КПК в диапазоне 800–1000 ° C. При температуре КПК <800 ° C характеристики C-V не могут быть измерены. Это говорит о том, что электрическое поле не могло проходить внутри металлического слоя RuO𝑥, что не приводило к характеристикам C-V . При PDA> 800 ° C нанокристаллы RuO𝑥 образуются, и металлический слой становится дискретным, в результате чего электрическое поле проходит через границу нанокристаллов RuO𝑥.В этом случае система CV может измерять характеристики C-V . На этом этапе можно контролировать температуру образования металлических нанокристаллов, что также важно для процесса образования других металлических нанокристаллов. Температура образования нанокристаллов зависит от толщины металлического нанослоя, процесса осаждения и самого материала. Окно памяти чистого Al 2 O 3 слоя улавливания заряда увеличивается (немного) после изменения напряжения затвора ± 7 В.После процесса отжига могут формироваться границы зерен Al 2 O 3 , и заряды могут удерживаться на участках границ зерен. Толщина туннельного оксида (SiO 2 ) увеличивается (от 3 нм до 4 нм) на границе раздела SiO 2 / Al 2 O 3 после процесса высокотемпературного отжига. Из-за более толстого туннельного оксида и большого смещения зоны проводимости (Δ𝐸 = (𝐸𝑐) Si- (𝐸𝑐) Al2O3 = 4,05 эВ − 1,25 эВ = 2,8 эВ) между слоями проводимости Si и Al 2 O 3 , большое рабочее напряжение 7 В необходимо для захвата зарядов в слоях улавливания заряда Al 2 O 3 .С другой стороны, небольшое рабочее напряжение <7 В∣ необходимо для конденсаторов памяти с металлическими нанокристаллами RuO𝑥 из-за отрицательного смещения зоны проводимости (Δ𝐸 = (𝐸𝑐) Si- (𝐸𝐹) RuO𝑥 = 4,05 эВ-4,7 эВ = −0,65 эВ) между нанокристаллами Si и RuO𝑥. Работа выхода слоя RuO𝑥 составляет ~ 4,7 эВ. Это указывает на то, что вероятность захвата заряда в нанокристаллах RuO𝑥 будет увеличена по сравнению с таковой, наблюдаемой для слоев улавливания заряда чистого Al 2 O 3 . Окно памяти гистерезиса увеличивается при увеличении качающегося напряжения затвора до ± 10 В.Если рабочее напряжение меньше 7 В∣, то захват заряда может наблюдаться только в нанокристаллах RuO𝑥. Если рабочее напряжение выше, чем 7 В∣, то захват заряда может наблюдаться как в нанокристаллах RuO𝑥, так и в слоях улавливания заряда Al 2 O 3 . При качающемся напряжении затвора ± 5 В окна гистерезисной памяти составляют 1,8, 8,0, 7,5 и 5,2 В для КПК при 850 ° C, 900 ° C, 950 ° C и 1000 ° C соответственно. Это значения 4,0, 11,1, 10,8 и 8.6 В при качающемся напряжении затвора ± 7 В (рисунок 8 (b) и таблица 1). Хотя нанокристаллы RuO 3 с высокой плотностью наблюдаются при температуре PDA 850 ° C, наблюдается наименьшее окно памяти по сравнению с тем, что наблюдается для других процессов высокотемпературного отжига. Это может быть связано как с более высокой эквивалентной толщиной оксида (EOT = 8,9 ± 0,5 нм), как показано на рисунке 9, так и с нежелательными дефектами, оставшимися в нанокристаллах RuO 3 при низкой температуре отжига (850 ° C). EOT уменьшается (немного) с увеличением PDA до 950 ° C из-за уплотнения слоев.Но EOT увеличивается при PDA 1000 ° C из-за более толстого туннельного оксида стопки (~ 5 нм). Минимальный EOT 7,9 ± 0,5 нм наблюдается при температуре КПК 950 ° C. Окно памяти при 1000 ° C также ниже по сравнению с двумя температурами отжига 900 ° C и 950 ° C из-за более высокого EOT, более низкой плотности нанокристаллов RuO𝑥 и более высокого тока утечки, которые будут обсуждаться ниже. При температуре КПК 900 ° C и 950 ° C большое окно гистерезисной памяти> 14,0 В наблюдается при качающемся напряжении затвора ± 10 В из-за более низкого EOT (7.9 ± 0,5 нм) и нанокристаллы RuO𝑥, состоящие из элементов RuO 2 и RuO 3 (данные не показаны). Окно памяти 0,9 В также наблюдается при небольшом качающемся напряжении затвора ± 1 В. Большое окно памяти и высокая плотность захвата электронов (или дырок) запоминающих устройств при работе при низком напряжении могут быть использованы в будущем. -уровень-заряд (MLC)-захват приложений устройства флэш-памяти, что было объяснено ниже.
Гистерезис C-V указывает на то, что заряд может быть захвачен в нанокристаллах RuO𝑥 при небольшом положительном напряжении затвора, а захваченные заряды могут быть стерты при небольшом отрицательном напряжении затвора.Электрические поля послойно под внешними напряжениями затвора () могут быть объяснены ниже. Рассматривая запоминающее устройство в режиме программирования, напряжение стека 𝑉stack (= 𝑉g − 𝑉FBN − 𝜓𝑠) в структуре памяти может быть записано как stack = 𝑉SiO2 + 𝑉HfO2 + 𝑉RuO𝑥 + 𝑉Al2O3, (2) где 𝜓𝑠 — поверхностный потенциал на границе раздела SiO 2 / Si, 𝑉SiO2 — напряжение на туннельном слое SiO 2 (т.е. SiO 2 и HfSiO), 𝑉HfO2 — напряжение на слое HfO 2 . , RuO𝑥 — напряжение на слое нанокристаллов RuO𝑥, а 𝑉Al2O3 — напряжение на блокирующем оксиде (Al 2 O 3 ).FBN для нашего устройства составляет около +0,05 В. Поверхностный потенциал можно записать как = 𝑘𝑇𝑞𝑁ln𝐷𝑛𝑖, (3) где k (= 1,38 × 10 −23 Дж / К) — постоянная Больцмана, T (= 300 K) — абсолютная температура, N D (1 × 10 17 см −3 ) — плотность легирования в Si n-типа, n i (= 1,45 × 10 10 см −3 ) — собственная концентрация носителей Si. Используя эти значения выше, равно 0.41 V. Из закона электростатики Гаусса о послойной структуре граничное условие можно записать следующим образом: 𝜀SiO2⋅𝐸SiO2 = 𝜀HfO2⋅𝐸HfO2 = 𝜀RuO𝑥⋅𝐸RuO𝑥 = 𝜀Al2O3⋅𝐸Al2O3. (4) SiO2, 𝜀HfO2, 𝜀RuO𝑥 и 𝜀Al2O3 представляют собой относительные диэлектрические проницаемости слоев SiO 2 , HfO 2 , RuO𝑥 и нанокристалла Al 2 O 3 соответственно. SiO2, 𝐸HfO2, 𝐸RuO𝑥 и 𝐸Al2O3 представляют собой электрические поля через слои SiO 2 , HfO 2 , RuO𝑥 и нанокристалл Al 2 O 3 соответственно.Электрические поля на слоях SiO 2 , HfO 2 и Al 2 O 3 могут быть получены из (2) и (4), 𝐸SiO2 = 𝑉SiO2𝑡SiO2 = SiO2 + 𝜀HfSiO⋅𝑡HfO2𝜀HfO2 + 𝑡RuO2 + 𝑡Al2O3εAl2O3-1⋅𝑉stack, (5) 𝐸HfO2 = 𝑉HfO2𝑡HfO2 = 𝑡HfO2 + εHfO2⋅𝑡SiO2εSiO2 + 𝑡RuO𝑥εRuO𝑥 + 𝑡Al2O3εAl2O3-1⋅𝑉stack, (6) 𝐸Al2O3 = 𝑉Al2O3𝑡Al2O3 = 𝑡Al2O3 + εAl2O3⋅𝑡SiO2εSiO2 + 𝑡HfO2εHfO2 + 𝑡RuO𝑥𝜀RuO𝑥 − 1⋅𝑉stack, (7) где 𝑡SiO2, 𝑡HfO2, 𝑡RuOx и 𝑡Al2O3 — толщины слоев SiO 2 , HfO 2 , RuO𝑥 и Al 2 O 3 соответственно.Полная последовательная емкость (𝐶total) в области накопления может быть записана как1𝐶total = 𝑡SiO2𝜀SiO2.𝜀0 + 𝑡.𝐴HfO2𝜀HfO2.𝜀0 + 𝑡.𝐴RuO𝑥𝜀RuO𝑥.𝜀0 + 𝑡.𝐴Al2O3𝜀Al2O3.𝜀0, .𝐴 (8) где ε 0 (= 8,85 × 10 −14 Ф / см) — диэлектрическая проницаемость свободного пространства. Значения 𝐶total составляют 43,43, 45,2, 48,72 и 43,92 пФ для КПК при 850 ° C, 900 ° C, 950 ° C, 1000 ° C соответственно. С учетом последовательной емкости с использованием (8) и толщины (таблица 1) слоя за слоем для всех температур отжига значения относительной диэлектрической проницаемости слоев Al 2 O 3 , HfO 2 и RuO𝑥 равны 13,17. , и 40 соответственно [18–21].Более высокая относительная диэлектрическая проницаемость пленки Al 2 O 3 обусловлена кристаллизацией или диффузией RuO 2 в пленку Al 2 O 3 во время процесса высокотемпературного отжига. Различная ориентация кристаллов, включая легированную металлом пленку Al 2 O 3 или образование нанозерен пленок с высоким κ Al 2 O 3 , также может вызывать более высокую диэлектрическую проницаемость пленки. Значения эффективной диэлектрической проницаемости слоя SiO 2 оказались равными 4.15, 4.65, 6.15 и 5.1 для КПК 850 ° C, 900 ° C, 950 ° C, 1000 ° C соответственно. Эффективная диэлектрическая проницаемость туннельного оксида (SiO 2 ) выше, чем у чистого слоя SiO 2 (𝜀SiO2 = 3,9). Это предполагает, что слой силиката Hf на границе раздела HfO 2 / SiO 2 образуется после процесса отжига из-за диффузии атомов Hf и Si, что также объясняется анализами EDX и XPS. Используя значения относительной диэлектрической проницаемости, указанные в (5), (6) и (7), электрические поля были рассчитаны при положительных напряжениях затвора = +10 В или +5 В на платиновом электроде затвора.График зависимости электрических полей от температуры КПК показан на рис. 10. Электрическое поле на слое SiO 2 (𝐸SiO2) выше 8 МВ / см при рабочем напряжении +10 В для всех температур отжига. При напряжении на затворе +5 В SiO2 составляет ~ 4 МВ / см. Это указывает на то, что модифицированный туннельный механизм Фаулера-Нордгейма (F-N) играет роль в захвате электронов в нанокристаллы RuO𝑥. Электрическое поле через слой HfO 2 меньше ~ 2 МВ / см, но смещение зоны проводимости [Δ𝐸 = (𝐸𝑐) Si- (𝐸𝑐) HfO2 = 4.05eV − 2.35eV = 1.7eV] между слоями Si и HfO 2 также меньше. Электроны можно легко туннелировать через слой HfO 2 . Электрическое поле уменьшается (немного) с увеличением температуры КПК из-за большей толщины и диэлектрической проницаемости слоя SiO 2 . Следует отметить, что электрическое поле через слои с высоким значением κ Al 2 O 3 намного меньше, чем электрическое поле через слой SiO 2 .В этом случае электроны туннелируют через туннельный оксидный слой, а заряды захватываются металлическими нанокристаллами RuO𝑥 под действием низкого напряжения. Когда мы прикладываем отрицательное напряжение затвора к Pt электроду затвора, электрическое поле через туннельный оксидный слой (SiO2) также выше, чем у блокирующего оксидного слоя (Al2O3). Во-первых, захваченные электроны будут туннелироваться обратно от нанокристаллов RuO𝑥 к проводящему слою Si. Во-вторых, дырки будут туннелироваться из валентной зоны Si в нанокристаллы RuO𝑥.Таким образом, большое окно памяти наблюдается из-за ловушек для электронов и дырок при положительном и отрицательном напряжениях затвора, соответственно, на электроде затвора.
На рисунке 11 показано изменение плотности тока утечки при различных температурах отжига. Плотность тока утечки конденсаторов памяти с нанокристаллами RuO𝑥 выше, чем у чистых слоев улавливания заряда Al 2 O 3 , из-за образования нанокристаллов RuO.. Ток утечки увеличивается с повышением температуры PDA из-за образования нанокристаллов и диффузии металлического RuO2 в блокирующий оксид с высоким значением κ Al 2 O 3 .Кроме того, кристаллизация пленки Al 2 O 3 также может играть роль в увеличении тока утечки. Образование кристаллитов может привести к повышенным токам утечки по границам зерен пленок Al 2 O 3 после процесса высокотемпературного отжига. Напряжение пробоя конденсаторов памяти из нанокристаллов RuO𝑥 уменьшается с увеличением температуры КПК из-за более высокого тока утечки. Также считается, что окно гистерезисной памяти при 1000 ° C КПК меньше, чем при 950 ° C, из-за более высокого тока утечки.Это означает, что окно памяти с гистерезисом может быть ограничено утечкой затвора или током обратного туннелирования, а также конструкцией структуры памяти.
На рисунке 12 (a) показаны превосходные характеристики стойкости к программированию / стиранию при небольшом напряжении программирования / стирания ± 5 В и длительности импульса 200 мс для КПК при температуре 1000 ° C. Начальное окно памяти составляет 5,6 В, а после экстраполяции 10 4 циклов оно составляет 5,5 В. Небольшая потеря окна памяти ~ 2% наблюдается после 10 6 циклов.На рисунке 12 (b) показано изменение напряжения плоской полосы в зависимости от времени удерживания при 1000 ° C на КПК. Напряжение программирования / стирания составляет ± 5 В, а длительность импульса составляет 200 мс. Для считывания данных (т. Е. 𝑉FB) с истекшим временем в условиях программирования / стирания емкость измеряется при напряжении считывания 0,1 В, а емкость передается на FB. Первоначальное окно памяти составляет 5,6 В, 4,8 В при комнатной температуре (RT: 25 ° C) и 4,3 В при 85 ° C после экстраполяции 10-летнего хранения данных. Небольшая потеря заряда ~ 14% при комнатной температуре (~ 23% при 85 ° C) наблюдается после 10 лет выдержки.Небольшие потери заряда и большое окно памяти конденсаторов памяти из нанокристаллов RuO𝑥 при небольшом напряжении программы / стирания ± 5 В обусловлены как ловушкой заряда на глубоких уровнях в нанокристаллах RuO𝑥, так и более толстым (~ 5 нм) туннельным оксидным слоем. при температуре КПК 1000 ° C, что очень полезно для будущих приложений энергонезависимой памяти нанометрового масштаба.
4. Выводы
Нанокристаллы металла RuO𝑥 в n – Si / SiO 2 / Hf-силикат / HfO 2 / RuO𝑥 / Al 2 O 3 Конденсаторы / Pt с различными температурами отжига от 850 до 1000 ° C были исследованы с помощью измерений HRTEM, EDX и XPS.Средний диаметр нанокристаллов металла RuO𝑥 увеличивается с 7–11,5 нм, а плотность уменьшается с 1,5–0,7 × 10 12 см –2 при повышении температуры КПК от 850 ° C до 1000 ° C из-за агломерации множественных нанокристаллы. Изолированные нанокристаллы наблюдаются с помощью ПЭМ-изображений в плоскости. Из-за диффузии атомов Si и Hf на границе раздела HfO 2 / SiO 2 во время процесса отжига слой силиката Hf подтверждается как РФЭС, так и электрическими измерениями.Нанокристаллы металла RuO𝑥 с высокой плотностью (> 1 × 10 12 / см 2 ), большим окном памяти (> 5 В) при малом срабатывании напряжения затвора (<5 В) и малым EOT (~ 9,0 нм). Получены хорошая выносливость ~ 10 6 циклов и большое окно памяти ~ 4,3 В с небольшой потерей заряда ~ 23% при 85 ° C после экстраполяции 10-летнего хранения данных, что может быть полезно в будущем. энергонезависимая память, управляемая напряжением.
Благодарности
Авторы благодарны лабораториям электрооптических исследований Института промышленных технологий, Синьчжу, Тайвань, за их щедрую поддержку исследования.
Станьте первым комментатором